Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
2Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
Email: N.Bochkareva@mail.ioffe.ru, y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.
Анализируются точечные дефекты в GaN, в частности, их проявление в фотолюминесценции, оптическом поглощении и рекомбинационном токе светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN. Как показывают результаты, широкий хвост дефектных состояний в запрещенной зоне GaN облегчает туннелирование термически активированных носителей в квантовую яму, но одновременно приводит к уменьшению безызлучательного времени жизни и падению эффективности по мере того, как квазиуровни Ферми пересекают состояния дефектов при увеличении прямого смещения. Результаты позволяют выявить доминирующую роль водорода в рекомбинационной активности дефектов с оборванными связями и в эффективности приборов на основе GaN.
- M.A. Reshchikov, H. Morko c. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
- C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 66, 2712 (1995)
- L. Balagurov, P.J. Chong. Appl. Phys. Lett., 68, 43 (1996)
- O. Ambacher, W. Reiger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann. Sol. St. Commun., 97, 365 (1996)
- P.B. Klein, S.C. Binari. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1641 (2003)
- P. Perlin, M. Osinski, P.G. Eliseev, V.A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori. Appl. Phys. Lett., 69, 1680 (1996)
- N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, A.S. Zubrilov, Y.S. Lelikov, P.E. Latyshev, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 96, 133502 (2010)
- Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47, 115 (2013)
- Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49, 1714 (2015)
- S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1332 (1995)
- T. Mukai, K. Takekava, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L839 (1996)
- Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
- А.А. Ефремов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Д.А. Лавринович, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 621 (2006)
- V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JE14 (2013)
- Ю.С. Леликов, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, И.А. Мартынов, Ю.Т. Ребане, Д.В. Тархин, Ю.Г. Шретер. ФТП, 42, 1371 (2008)
- А.А. Ефремов, Д.В. Тархин, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 380 (2006)
- M.A. Mastroa, O.M. Kryliouka, T.J. Andersona, A. Davydovb, A. Shapiro. J. Cryst. Growth, 274, 38 (2005)
- В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 33, 445 (1999)
- L. Hirsch, A.S. Barriere. J. Appl. Phys., 94, 5014 (2003)
- M. Mandurrino, G. Verzellesi, M. Goano, M. Vallone, F. Bertazzi, G. Ghione, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni. Phys. Status Solidi A, 212, 947 (2015)
- Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 48, 1107 (2014)
- A. Rose. Concept in Photoconductivity and Allied Problems (Krieger, N. Y., 1978)
- O. Gelhausen, M. R. Phillips, E. M. Goldys, T. Paskova, B. Monemar, M. Strassburg, A. Hoffmann. Phys. Rev. B, 69, 125210 (2004)
- D. Han, K. Wang, L. Yang. J. Appl. Phys., 80, 2475 (1996)
- D.L. Gricom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
- N.H. Nickel, N.M. Johnson, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett. 72, 3393 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
