Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
1Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: asryan@vt.edu
Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.
Рассчитаны мощностные характеристики нового вида инжекционных лазеров - лазеров на квантовой яме (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Использована обобщенная модель, учитывающая асимметрию заполнения электронных и дырочных состояний. Показано, что электронно-дырочная асимметрия не влияет существенным образом на характеристики АБС лазеров - даже в присутствии промежуточных слоев (располагающихся между КЯ и каждой из двух АБС), в которых имеет место паразитная электронно-дырочная рекомбинация, внутренняя дифференциальная квантовая эффективность АБС лазера на КЯ слабо зависит от тока накачки и остается близкой к единице, а следовательно, ватт-амперная характеристика остается линейной при высоких уровнях накачки.
- P.S. Zory, Jr. Quantum Well Lasers (Academic, Boston, 1993)
- H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.M. Vandenberg, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 63 (17), 2321 (1994)
- J.D. Evans, J.G. Simmons, D.A. Thompson, N. Puetz, T. Makino, G. Chik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 1 (2), 275 (1995)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996)
- S. Seki, H. Oohashi, H. Sugiura, T. Hirono, K. Yokoyama. IEEE J. Quantum Electron., 32 (8), 1478 (1996)
- L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. DeMarco, J.C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69 (11), 1532 (1996)
- D. Garbuzov, L. Xu, S.R. Forrest, R. Martinelli, J.C. Connolly. Electron. Lett., 32 (18), 1717 (1996)
- R.F. Kazarinov, G.E. Shtengel. J. Lightw. Technol., 15 (12), 2284 (1997)
- M.V. Maximov, L.V. Asryan, Y.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Z.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Electron. Lett., 33 (22), 1871 (1997)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 34 (5), 841 (1998)
- L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. Appl. Phys. Lett., 81 (12), 2154 (2002)
- L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. J. Quantum Electron., 39 (3), 404 (2003)
- L.V. Asryan, S. Luryi. Solid-State Electron., 47 (2), 205 (2003)
- L.V. Asryan, S. Luryi. U.S. Patent No. 6,870,178, Mar. 22, 2005; (U.S. Provisional Patent Application No. 60/272,202, filed on Feb. 28, 2001)
- L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055025 (2011)
- L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 114 (14), 143103 (2013)
- A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012)
- А.Е. Жуков, Л.В. Асрян, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова. ФТП, 46 (8), 1049 (2012)
- Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова, Л.В. Асрян. Письма ЖТФ, 41 (9), 61 (2015)
- F.I. Zubov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (14), 1106 (2015)
- F.I. Zubov, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, L.V. Asryan. J. Phys. Conf. Ser., 643, 012042 (2015)
- А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (N. Y., Wiley, 1995)
- L.V. Asryan, Z.N. Sokolova. J. Appl. Phys., 115 (2), 023107 (2014)
- L.V. Asryan. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
- L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15 (12), 1131 (2000)
- K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52 (23), 1945 (1988)
- L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83 (26), 5368 (2003)
- L.V. Asryan, S. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 40 (7), 833 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
