Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si₃N₄ in situ

Министерство образования и науки РФ , No 14.607.21.0011, уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011

Томош К.Н.

¹, Павлов А.Ю.

¹, Павлов В.Ю.

¹, Хабибуллин Р.А.

¹, Арутюнян С.С.

¹, Мальцев П.П.

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: sky77781@mail.ru

Поступила в редакцию: 7 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В работе подобран оптимальный режим плазмохимического травления в среде C₃F₈/O₂ пассивирующего слоя Si₃N₄ in situ при изготовлении HEMT AlGaN/AlN/GaN. Установлено, что напряжение смещения на высокочастотном электроде 40-50 В обеспечивает анизотропное травление диэлектрика через резистную маску и не вносит заметных радиационных дефектов при перетраве пленок диэлектрика в области формирования затворной металлизации. Для оценки влияния роста Si₃N₄ in situ вместе с гетероструктурой в одном процессе на характеристики HEMT AlGaN/AlN/GaN были изготовленные транзисторы с затворами без диэлектрика и с затворами через щели в Si₃N₄. Показано, что при наличии Si₃N₄ максимальный ток стока HEMT AlGaN/AlN/GaN при 0 В на затворе в 1.5 раза выше, чем без Si₃N₄.

М. Гольцова. Электроника. Наука. Технология. Бизнес, 4, 86 (2012)
L. Lugani, J.-F. Carlin, M.A. Py, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 105, 3 (2014)
J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen. J. Appl. Phys., 98, 054501 (2005)
П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
A. Alexewicz, M. Alomari, D. Maier, H. Behmenburg, C. Giesen, M. Heuken, D. Pogany, E. Kohn, G. Strasser. Solid-State Electron., 89, 207 (2013)
M.J. Tadjer, J.T. Anderson, K.D. Hobart, M.A. Mastro, J.K. Hite, J.D. Caldwell, Y.N. Picard, F.J. Kub. J. Electron. Mater., 39 (11), 2452 (2010)
B. Heying, I.P. Smorchkova, R. Coffie, V. Gambin, Y.C. Chen, W. Sutton, T. Lam, M.S. Kahr, K.S. Sikorski, M. Wojtowicz. Electron. Lett., 43 (14), 789 (2007)
M. Germain, J. Derluyn, M. Van Hove, F. Medjdoub, J. Das, D. Marcon, S. Degroote, K. Cheng, M. Leys, D. Visalli, P. Srivastava, K. Geens, J. Viaene, B. Sijmus, S. Decoutere, G. Borghs. CS MANTECH Conf. (2010) 225 p
A. Fontser`ea, A. Perez-Tomasa, P. Godignona, J. Millana. Solid-State Dev. Research Conf. (ESSDERC) (2012) 306 p
X. Lu, J. Ma, H. Jiang, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 104, 032903 (2014)
В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
К.Н. Томош. Нано- и микросистемная техника, 5, 47 (2013)
Y.X. Li, P.J. French, R.F. Wolffenbuttel. J. Vac. Sci. Technol., 13 (5), 2008 (1995)
B.E. Kastenmeier, P.J. Matsuo, J.J. Beulens, G.S. Oehrleinb. J. Vac. Sci. Technol., 14 (5), 2802 (1996)
J. Shim, A. Miyao, H. Sakurai, K. Matsushita, K. Onodera, K. Takaki, H. Kawasaki. J. Electrochem. Soc., 156 (1), 68 (2009)
В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35 (7), 769 (2001)
Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2013)
G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov, D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, V.A. Kulbachinskii, D.V. Gromov, P.P. Maltsev. Lithuan. J. Phys., 55 (4), 249 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель