Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным delta-легированным Mn слоем GaAs
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Исследовано влияние термических изохронных отжигов (325-725oC) на излучательные свойства InGaAs/GaAs гетеронаноструктур, содержащих низкотемпературный delta-легированный Mn слой GaAs, выращенный методом лазерного осаждения. Наблюдается спад интенсивности фотолюминесценции и увеличение энергии основного перехода при термическом воздействии для квантовых ям, расположенных вблизи низкотемпературного слоя GaAs. Вторичной ионной масс-спектрометрией получено распределение атомов Mn в исходных и отожженных структурах. Обсуждается качественная модель наблюдаемого влияния термического отжига на излучательные свойства структур, которая учитывает наличие двух основных процессов: диффузии точечных дефектов (в первую очередь вакансий галлия) из покровного слоя GaAs в глубь структуры и диффузии Mn в обоих направлениях по диссоциативному механизму. Исследования намагниченности показали, что в результате термических отжигов происходит возрастание доли ферромагнитной при комнатной температуре фазы (предположительно, кластеров MnAs) в низкотемпературном покровном слое.
- S.V. Zaitsev, V.D. Kulakovskii, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Sapozhnikov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov. Physica E, 41, 652 (2009)
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн., 75 (6), 56 (2008)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А.Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
- R.T. Blunt. CS MANTECH Conf. (Vancouver, British Columbia, Canada) 59 (2006)
- P.J. Flanders. J. Appl. Phys., 63, 3940 (1988)
- A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
- М.Д. Вилисова, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.Е. Торопов, В.В. Чалдышев. ФТП, 36, 1025 (2002)
- А.П. Горшков, И.А. Карпович, Е.Д. Павлова, И.Л. Калентьева. ФТП, 46, 194 (2012)
- Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 1045 (1997)
- И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г.Лаврентьева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, С.В. Субач, С.Е. Торопов. ФТП, 37, 1072 (2003)
- L. Fu, H.H. Tan, M.B. Johnston, M. Gal, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 85, 6786 (1999)
- O. Hulko, D.A. Thompson, J.G. Simmons. Semicond. Sci. Technol., 24, 045 015 (2009)
- Yu.A. Danilov, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, I.L. Kalentieva, V.S. Dunaev. J. Spintronics and Magnetic Nanomater., 1, 82 (2012)
- L.M.C. Pereira, U. Wahl, S. Decoster, J.G. Correia, M.R. da Silva, A. Vantomme, J.P. Araujo. Appl. Phys. Lett., 98, 201 905 (2011)
- R. Schulz, T. Korn, D. Stich, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider, C. Schuller. Physica E, 40, 2163 (2008)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972) с. 383
- D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
- С.С. Хлудков, О.Б. Корецкая. Изв. вузов. Физика, 28 (1), 107 (1985)
- J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, H.R. Chen. J. Appl. Phys., 77, 4302 (1995)
- K.W. Edmonds, P. Boguslawski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 92, 037 201 (2004)
- F. Tuomisto, K. Pennanen, K. Saarinen, J. Sadowski. Phys. Rev. Lett., 93, 055 505 (2004)
- F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. Handbook of Magnetic Materials, Elsevier, 14, 1 (2002)
- K. Lawniczak-Jablonska, J. Libera, A. Wolska, M.T. Klepka, P. Dluzewski, J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J.Z. Domagala, J. Sadowski, A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski. Phys. Status Solidi B, 248, 1609 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
