Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)

DOI: 10.21883/ftp.2016.11.43780.12

Шмагин В.Б.

^1,2, Вдовичев С.Н.

^1,2, Морозова Е.Е.^1,2, Новиков А.В.

^1,2, Шалеев М.В.

^1,2, Шенгуров Д.В.

^1,2, Красильник З.Ф.

^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: shm@ipmras.ru, anov@ipmras.ru, zfk@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В настоящем сообщении представлены результаты экспериментов по наблюдению электролюминесценции из кремниевых структур металл-окисел-полупроводник (МОП) с массивами самоформирующихся наноостровков Ge(Si) и оксидом алюминия Al₂O₃ в качестве изолирующего слоя. Проанализированы изменения в спектрах электролюминесценции МОП структур, вызываемые изменением работы выхода металла. При комнатной температуре наблюдалась интенсивная электролюминесценции наноостровков Ge(Si), удаленных на расстояние ~50 нм от интерфейса окисел-полупроводник. Показано, что, выбирая соответствующие параметры полупроводниковой структуры и высоту барьера для инжектируемых носителей, можно управлять спектром излучения МОП структуры.

Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
K.-Y. Tse, J. Robertson. Phys. Rev. Lett., 99, 086 805 (2007)
T. Arguirov, Ch. Wenger, M. Lukosius, T. Mchedlidze, M. Reiche, M. Kittler. Phys. Status Solidi C, 8, 1302 (2011)
R. Islam, G. Shine, K.C. Saraswat. Appl. Phys. Lett., 105, 182 103 (2014)
M.H. Liao, C.Y. Yu, T.H. Guo, C.H. Lin, C.W. Liu. IEEE Electron Dev. Lett., 27, 252 (2006)
M.H. Liao, C.H. Lee, T.A. Hung, C.W. Liu. J. Appl. Phys., 102, 053 520 (2007)
T.H. Cheng, M.H. Liao, L. Yeh, T.L. Lee, M.S. Liang, C.W. Liu. J. Appl. Phys., 103, 016 103 (2008)
M.H. Liao. Appl. Phys. Lett., 94, 241 908 (2009)
S. Das, S. Manna, R.K. Singha, R. Aluguri, S.K. Ray. J. Appl. Phys., 113, 063 101 (2013)
Y.Ch. Yeo, Ts.J. King, Ch. Hu. J. Appl. Phys., 92, 7266 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель