Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), Программа фундаментальных исследований Президиума РАН ”Фундаментальные и прикладные проблемы фотоники и физика новых оптических материалов“.
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Проводились исследования фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек InAs, поверх которых был выращен слой GaAs в низкотемпературном режиме (LT-GaAs), с использованием различных разделительных слоев или без них. Под разделительными слоями подразумеваются тонкие слои GaAs или AlAs, выращенные при нормальных для молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) температурах. Прямое заращивание привело к исчезновению фотолюминесценции. При использовании тонкого разделительного слоя GaAs фотолюминесценция из квантовых точек InAs частично восстановилась, но ее интенсивность оказалась на 2 порядка меньше, чем в референтном образце, в котором заращивание массива квантовых точек производилось при нормальной температуре. Использование более широкозонного AlAs в качестве материала разделительного слоя привело к усилению фотолюминесценции из квантовых точек InAs, но она все еще была более чем на порядок слабее относительно излучения референтного образца. Построена модель, учитывающая процессы генерации носителей светом, их диффузии и туннелирования из квантовых точек в слой LT-GaAs.
- H. Liu, T. Wang, Q. Jiang, R. Tutu, F. Pozzi, A. Seeds. Nature Photonics, 5, 416 (2011)
- С. Михрин, А. Жуков, А. Ковш, Н. Малеев, В. Устинов, Ю. Шерняков, И Каяндер, Е. Кондратьева, Д. Лившиц, И. Тарасов, М. Максимов, А. Цацульников, Н. Леденцов, П. Копьев, Д. Бимберг, Ж. Алфёров. ФТП, 34, 117 (2000)
- N. Ledentsov. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 001 (2011)
- J. Wu, S. Chen, A. Seeds, H. Liu. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 363 001 (2015)
- A. Marent, T. Nowozin, M. Geller, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 26, 014 026 (2011)
- M. Kroutvar, Y. Ducommun, D. Heiss, M. Bichler, D. Schuh, G. Abstreiter, J.J. Finley. Nature, 81, 432 (2004)
- F. Ferdos, M. Sadeghi, Q.X. Zhao, S.M. Wang, A. Larsson. J. Cryst. Growth, 227, 1140 (2001)
- H. Liu, B. Xu, D. Ding, Y. Chen, J. Zhang, J. Wu, Z. Wang. J. Cryst. Growth, 227, 1005 (2001)
- V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88, 195 (2002)
- M. Melloch, J. Woodall, E. Harmon, N. Otsuka, F. Pollak, D. Nolte, R. Feenstra, M. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
- Н. Берт, А. Вейнгер, М. Вилисова, С. Голощапов, И. Ивонин, С. Козырев, А. Куницын, Л. Лаврентьева, Д. Лубышев, В. Преображенский, Б. Семягин, В.В. Третьяков, В. Чалдышев, М. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
- А. Пастор, У. Прохорова, П. Сердобинцев, В. Чалдышев, М. Яговкина. ФТП, 47, 1144 (2013)
- D. Nolte. J. Appl. Phys., 85, 6259 (1999)
- L. Desplanque, J. Lampin, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 84, 2049 (2004)
- В. Неведомский, Н. Берт, В. Чалдышев, В. Преображенский, М. Путято, Б. Семягин. ФТП, 43, 1662 (2009)
- В. Неведомский, Н. Берт, В. Чалдышев, В. Преображенский, М. Путято, Б. Семягин. ФТП, 45, 1642 (2011)
- В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 47, 1196 (2013)
- H. Casey, D. Sell, K. Wecht. J. Appl. Phys., 46, 250 (1975)
- S. Dankowski, D. Streb, M. Ruff, P. Kiesel, M. Kneissl, B. Knupfer, G. Dohler. Appl. Phys. Lett., 68, 37 (1996)
- N. Bert, V. Chaldyshev, A. Kunitsyn, Yu. Musikhin, N. Faleev, V. Tretyakov, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
- X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
- W. Van Roosbroeck. J. Appl. Phys., 26, 380 (1955)
- P.W.M. Blom, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
- P. Loukakos, C. Kalpouzos, I. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
- D. Aspnes. Surf. Sci., 132, 406 (1983)
- L. Kong, Z. Wu, Z.C. Feng, I.T. Ferguson. J. Appl. Phys., 101, 126 101 (2007)
- F. Ferdos, S. Wang, Y. Wei, A. Larsson, M. Sadeghi, Q. Zhao. Appl. Phys. Lett., 81, 1195 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
