Вышедшие номера
Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
Суровегина Е.А.1, Демидов Е.В.1, Дроздов М.Н.1, Мурель А.В.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1, Лобаев М.А.2, Горбачев А.М.2, Вихарев А.Л.2, Богданов С.А.2, Исаев В.А.2, Мучников А.Б.2, Чернов В.В.2, Радищев Д.Б.2, Батлер Д.Е.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: suroveginaka@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Приведены результаты анализа атомного состава, уровня легирования и подвижности дырок в эпитаксиальных слоях CVD (chemical vapor deposition) алмаза при легировании бором. Показаны возможности однородного легирования бором в диапазоне от 5·1017 до ~1020 ат/см3 и delta-легирования с поверхностной концентрацией (0.3-5)·1013 ат/см2. Определены режимы прецизионного ионного травления структур, сформированы барьерные и омические контакты к слоям.