Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: suroveginaka@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
Приведены результаты анализа атомного состава, уровня легирования и подвижности дырок в эпитаксиальных слоях CVD (chemical vapor deposition) алмаза при легировании бором. Показаны возможности однородного легирования бором в диапазоне от 5·1017 до ~1020 ат/см3 и delta-легирования с поверхностной концентрацией (0.3-5)·1013 ат/см2. Определены режимы прецизионного ионного травления структур, сформированы барьерные и омические контакты к слоям.
- Е. Kohn, A. Denisenko. Thin Sol. Films, 515, 4333 (2007)
- T. Kobayashi, T. Ariki, M. Iwabuchi, T. Maki, S. Shikama, S. Suzuki. J. Appl. Phys., 76 (3), 1977 (1994)
- A. Aleksov, A. Vescanb, M. Kunzea, P. Gluchea, W. Eberta, E. Kohna, A. Bergmeierb, G. Dollingerb. Diamond Relat. Mater., 8 (2-5), 941 (1999)
- H. El-Haji, A Denisenko, A. Kaiser, R.S. Balmer. Diamond Relat. Mater., 17 (7-10), 1259 (2008)
- R.S. Balmer, I. Friel, S. Hepplestone, J. Isberg, M.J. Uren, M.L. Markham, N.L. Palmer, J. Pilkington, P. Huggett, S. Majdi, R. Lang. J. Appl. Phys., 113 (3) (2013)
- N. Tumilty, J. Welch, R.S. Balmer, C. Wort, R. Lang, R.B. Jackman. J. Appl. Phys., 106 (10), 103 707 (2009)
- G. Chicot, A. Fiori, P.N. Vople, T.N.T. Thi, J.C. Gerbedoen, J. Bousquet, M.P. Alegre, J.C. Pinero, D. Araujo, F. Jomard, A. Soltani, J.C. De Jaeger, J. Morse, J. Harwig, N. Tranchant, C. Mer-Calfati, J.C. Arnault, J. Delahaye, T. Grenet, D. Eon, F. Omnes, J. Pernot, E. Bustarret. J. Appl. Phys., 116 (8), 083702 (2014)
- P.N. Volpe, N. Tranchant, J.C. Arnault, S. Saada, F. Jomard, P. Bergonzo. Phys. Status Solidi RRL, 6 (2), 59 (2012)
- A. Fiori, T.N.T. Thi, G. Chicot, F. Jomard, F. Omnes, E. Gheeraert, E. Bustarret. Diamond Relat. Mater., 24, 175 (2012)
- E.F. Schubert. Delta-doping of semiconductors (Cambridge University Press, 1996)
- А.А. Алтухов, А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, М.П. Духновский, В.Е. Земляков. ФТП, 45, 403 (2011)
- А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, В.А. Колданов. Физика плазмы, 31, 376 (2005)
- A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butter. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 324 (2016)
- V. Venkatesan, K. Das, J.A. von Windheim, M.W. Geis. Appl. Phys. Lett., 63, 1065 (1993)
- W.P. Kang, J.L. Davidson, Y. Gurbuz, D.V. Kerns Citation. J. Appl. Phys., 78, 1101 (1995)
- S. Nath, J.I.B. Wilson. Diamond Relat. Mater., 5, 65 (1996)
- Saman Majdi. Electronic characterization of CVD diamond (Uppsala, Division of Electricity Department of Engineering Sciences, 2010)
- W. Gajewski, P. Achatz, O. Williams, K. Haenen, E. Bustarret, M. Stutzmann, J. Garrido. Phys. Rev. B, 79, 045 206 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
