Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов

DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43883.29

Тарасова Е.А.¹, Оболенская Е.С.¹, Хананова А.В.¹, Оболенский С.В.¹, Земляков В.Е.², Егоркин В.И.², Неженцев А.В.¹, Сахаров А.В.³, Цацульников А.Ф.³, Лундин В.В.³, Заварин Е.Е.³, Медведев Г.В.⁴

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия OAO Research-and-Production Enterprise “Salut”, Nizhny Novgorod, Russia

Email: obolensk@rf.unn.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования чувствительности параметров классических n⁺/n^- GaAs и AlGaN/GaN структур с двумерным электронным газом (НЕМТ) и полевых транзисторов на их основе к gamma-нейтронному воздействию. Определены уровни их радиационной стойкости. Развит метод экспериментального исследования структур на основе дифференциального анализа вольт-фарадных характеристик, позволяющий определять слои структуры, в которых накапливаются радиационные дефекты. Впервые предложена методика, позволяющая учесть изменение площади обкладок измеряемой емкости барьерного контакта, связанной с возникновением кластеров радиационных дефектов, формирующих диэлектрические включения в слое двумерного электронного газа.

Н.В. Басаргина, И.В. Ворожцова, С.М. Дубровских и др. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1 (3), 61 (2013)
Д.В. Громов, Ю.А. Матвеев, Ю.В. Федоров. Нано- и микросистемная техника, 5, 39 (2011)
Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.Н. Свешников, В.И. Егоркин, В.А. Иванов, Г.В. Медведев, Д.С. Смотрин. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 35 (5), 371 (2006)
R. Adair. Rev. Mod. Phys., 2, 249 (1980)
Физика быстрых нейтронов, под ред. Дж. Мариона, Дж. Фаулера (М., Атомиздат, 1966)
И.С. Григорьев, Е.З. Мейлихов. Физические величины (М., Энергоатомиздат, 1991)
С.В. Оболенский. Изв. вузов: Электроника, 6, 31 (2003)
С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель