Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 1 » Статья стр. 22
<<<>>>
Время жизни избыточного электрона в порошках Cu-Zn-Sn-Se
DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43990.8274
Новиков Г.Ф.1, Гапанович М.В.1, Гременок В.Ф.2, Бочаров К.В. 1, Tsai W.-T.3, Jeng Ming-Jer3, Chang Liann-Be3
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan
Email: ngf@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
PDF версия
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200-300 K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu-Zn-Sn-Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила Ea~0.054 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8274
  1. Г.Ф. Новиков. Наука и технологии в промышленности, 1, 88 (2016)
  2. H. Katagiri, K. Jimbo, W.S. Maw, K. Oishi, M. Yamazaki, H. Araki, A. Takeuchi. Thin Sol. Film, 517, 2455 (2009)
  3. B. Shin, O. Gunawan, Y. Zhu, N.A. Bojarczuk, J. Chey, S. Guha. Progr. Photovolt: Res. Appl., 21, 72 (2012)
  4. Ingrid Repins, Carolyn Beall, Nirav Vora, Clay De Hart, Darius Kuciauskas, Pat Dippo, Bobby To, Jonathan Mann, Wan-Ching Hsu, Alan Goodrich, Rommel Noufi. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 101, 154 (2012)
  5. K. Wang, B. Shin, K.B. Reuter, T. Todorov, D.B. Mitzi, S. Guha. Appl. Phys. Lett., 98, 051912 (2011)
  6. T.K. Todorov, J. Tang, S. Bag, O. Gunawan, T. Gokmen, Y. Zhu, D.B. Mitzi. Adv. Energy Mater., 3, 34 (2013)
  7. D. Aaron, R. Barkhouse, O. Gunawan, T. Gokmen, T.K. Todorov, D.B. Mitzi. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 20, 6 (2012)
  8. S. Ahmed, K.B. Reuter, O. Gunawan, L. Guo, L.T. Romankiw, H. Deligianni. Adv. Energy Mater., 2, 253 (2011)
  9. W. Shockley, H.Q. Queisser. J. Appl. Phys., 32, 510 (1961)
  10. T. Maeda, S. Nakamura, T. Wada. Jpn. J. Appl. Phys., 50, 04DP07 (2011)
  11. S. Chen, J. Yang, X.G. Gong, A. Walsh, S. Wei. Phys. Rev. B, 81, 245205 (2010)
  12. A. Nagaoka, K. Yoshino, H. Taniguchi, T. Taniyama, H. Miyake. J. Cryst. Growth, 341, 38 (2012)
  13. A. Nagaoka, K. Yoshino, H. Taniguchi, T. Taniyama, H. Miyake. J. Cryst. Growth, 354, 147 (2012)
  14. P. Bjirkman, J. Scragg, H. Flammersberger, T. Kubart, M. Edoff. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 98, 110 (2012)
  15. O. Vigil-Galan, M. Espi ndola-Rodri guez, M. Courel, X. Fontane, D. Sylla, V. Izquierdo-Roca, A. Fairbrother, E. Saucedo, A. Perez-Rodri guez. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 117, 246 (2013)
  16. M. Dimitrievska, A. Fairbrother, V. Izquierdo-Roca, A. Perez-Rodri guez, E. Saucedo. Photovoltaic Specialist Conf. IEEE 40th (2014)
  17. H. Katagiri, K. Jimbo, M. Tahara, H. Araki, K. Oishi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1165, 1165-M04-01 (2009)
  18. S. Delbos. Kesterite thin films for photovoltaics: a review, EPJ Photovoltaics, 3, 35004 (2012)
  19. K. Yamaguchi, T. Washio, K. Jimbo, H. Katagiri. The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conf., 2011, Fukuoka, Japan, 5B-3O-06
  20. S. Chen, A. Walsh, X. Gong, S. Wei. Adv. Mater., 25, 1522 (2013)
  21. G.F. Novikov, K.V. Bocharov, Sci. Lett. J. (the former title is Phys. Express), 4, 21 (2014)
  22. A. Redinger, S. Siebentritt. Appl. Phys. Lett. 97, 092111 (2010)
  23. R.A. Wibowo, W.H. Jung, K.H. Kim. J. Phys. \& Chem. Solids, 71, 1702 (2010)
  24. I. Repins, C. Beall, N. Vora, C. DeHart, D. Kuciauskas, P. Dippo, B. To, J. Mann, Wan-Ching Hsu, A. Goodrich, R. Noufi. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 101, 154 (2012)
  25. M. Gapanovich, G. Novikov, K. Bocharov, Wei-Tao Tsai, Ming-Jer Jeng, Liann-Be Chang. 23rd Photovoltaic Science and Engineering Conf. (PVSEC-23). (Taiwan, China, 2013). Режим доступа: CD:/3-P-61.pdf. http://www.pvsec23.com/conf\_news.html
  26. O. Gunawan, T.K. Todorov, D.B. Mitzi. Appl. Phys. Lett., 97, 233506 (2010)
  27. K.V. Bocharov, G.F. Novikov, T.Y. Hsieh, M.V. Gapanovich, M.J. Jeng. Semiconductors, 47, (3), 335 (2013). [К.В. Бочаров, Г.Ф. Новиков, T.Y. Hsieh, М.В. Гапанович, M.J. Jeng. ФТП, 47, (3), 3105 (2013)]
  28. G. Novikov, K. Bocharov, T.Y. Hsieh, M.J. Jeng. Proc. 27th Eur. Photovoltaic Sol. Energy Conf. \& Exh. (27th EU PVSEC) (Frankfurt, Germany, 2012) p. 2851

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme