Вышедшие номера
Время жизни избыточного электрона в порошках Cu-Zn-Sn-Se
Новиков Г.Ф.1, Гапанович М.В.1, Гременок В.Ф.2, Бочаров К.В. 1, Tsai W.-T.3, Jeng Ming-Jer3, Chang Liann-Be3
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan
Email: ngf@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200-300 K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu-Zn-Sn-Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила Ea~0.054 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8274