Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)B-(2sqrt(3)sqrt орт.
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: bekenev@ipms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры 4 вариантов полярной поверхности CdTe (111)B-(23x4) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для 4 вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8226
- Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990) гл. 4, с. 69 [Пер. с англ.: A. Zangwill. Physics at surfaces (Cambridge, University Press, 1988)]
- К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности (М., Наука, 2006) гл. 3-6, с. 67 [Пер. с англ.: K. Oura, V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Katayama. Surface science (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2003)]
- G.P. Srivastava. Theoretical modeling of semiconductor surfaces (Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, World Scientific, 1999), Chap. 8, p. 201
- R. Duszak, S. Tatarenko, J. Cibert, K. Saminadayar, C. Deshayes. J. Vac. Sci. Technol. A, 9 (6), 3025 (1991)
- С.K. Egan. Morphology, structure, electronic properties of CdTe surfaces studied by scanning tunneling microscopy. Durham theses (Durham University, 2011)
- C.K. Egan, Q.Z. Jiang, A.W. Brinkman. J. Vac. Sci. Technol. A, 29 (1), 011021 (2011)
- J. Li, J. Gayles, N. Kioussis, Z. Zhang, C. Grein, F. Aqariden. J. Eectron. Mater., 41 (10), 2745 (2012)
- С.М. Зубкова, Л.Н. Русина. Докл. НАНУ, N 1, 72 (2014)
- В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТТ, 57, 1830 (2015)
- L. Zhu, K.L. Yao, Z.L. Liu, Y.B. Li. J. Phys.: Condens Matter, 21 (9), 095001 (2009)
- А. Ohtake, J. Nakamura, T. Komura, T. Hanada, T. Yao, H. Kuramochi, M. Ozeki. Phys. Rev. B, 64 (4), 045318 (2001)
- О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова. Письма ЖЭТФ, 89 (4), 209 (2009)
- P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. DalCorso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens Matter, 21 (39), 395 502 (2009)
- K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn., 59 (10), 3455 (1990)
- Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.В. Склярчук, О.Л. Маслянчук. ФТП, 45 (10), 1323 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
