Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние типа и степени легирования на морфологию por-Si, полученного гальваническим травлением
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия 
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Зеленоград, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Зеленоград, Россия
Email: 5ilova87@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44101.8327
- A. Uhlir. Bell Syst. Techn., 35, (2), 333 (1956)
- D. Kovalev, V.Y. Timoshenko, N. Kunzner, E. Gross, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 87, 301 (2001)
- C.R. Becker, S. Apperson, Ch.J. Morris, Sh. Gangopadhyay, L.J. Currano, W.A. Churaman, C.R. Stoldt. Nano Lett., 11, 803 (2011)
- С.К. Лазарук, А.В. Долбик, П.В. Жагиро, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко. ФТП, 39 (8), 917 (2005)
- M. du Plessis. Sensors Actuators A, 135, 666 (2007)
- D.R. Turner. J Electrochem. Soc., 105, 402 (1957)
- V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
- S. Liu, C. Palsule, S. Yi, S. Gangopadhyay. Phys. Rev. B, 49 (15), 10318 (1994)
- J. Xu, A.J. Steck. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (3), 121 (1995)
- R.W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett. 60 (8), 995 (1992)
- Y. Qu, L. Liao, Yu. Li, H. Zhang, Yu Huang, X. Duan. Nano Lett., 9 (12), 4539 (2009)
- Ch.-L. Lee, K. Tsujino, Yu. Kanda, Sh. Ikeda, M. Matsumura. J. Mater. Chem., 18, 1015 (2008)
- Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, U. Gosele. Advanced Mater., 23 (2) 285 (2011)
- C.M.A. Ashruf, P.J. French, P.M.M.C. Bressers, P.M. Sarro, J.J. Kelly. Sensors Actuators A: Physical, 66 (1-3), 284 (1998)
- K.W. Kolasinski. Nanoscale Res. Lett., 9, 432 (2014)
- T. Hadjersi, N. Gabouze, N. Yamamoto, K. Sakamaki, H. Takai, A. Ababou, E.S. Kooij. Phys. Status Solidi C, 2 (9), 3384 (2005)
- O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov, Ya.S. Grishina, A.N. Belov. Sol. St. Phenomena, 213, 103 (2014)
- D. Wang, R. Ji, S. Du, A. Albrecht, P. Schaaf. Nanoscale Res. Lett., 8, 42 (2013)
- K.W. Kolasinski, W.B. Barclay, Y. Sun, M. Aindow. Electrochim. Acta., 158, 219 (2015)
- T. Hadjersi, N. Gabouze. Optical Mater., 30, 865 (2008)
- X. Li, P.W. Bonn. Appl. Phys. Lett., 77 (16), 2572 (2000)
- M. Lipinskia, J. Cichoszewski, R.P. Socha, T. Piotrowski. Acta Phys. Polon. A, 116, 117 (2009)
- Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 37 (4), 494 (2003)
- V. Parkhutik. Sol. St. Electron., 43 (6), 1121 (1999)
- E.P. Barret, L.G. Joyner, P.P. Halenda. J. Amer. Chem. Soc., 73, 373 (1951)
- А.С. Вячеславов, Е.А. Померанцева, Е.А. Гудилин. Методическая разработка: Измерение площади поверхности и пористости методом капиллярной конденсации азота (М., МГУ, 2006) с. 55
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
