Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований коллективами существующих научных лабораторий (кафедр), 14-22-00143
Ситников С.В.
1, Косолобов С.С.
1,2, Латышев А.В.
1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: sitnikov@isp.nsc.ru, latyshev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180oC экспериментально измерен критический размер (Dcrit) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что Dcrit2 степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени chi=(0.9±0.05) во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180oC, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332
- S. Filimonov, V. Cherepanov, Y. Hervieu, В. Voigtlander. Phys. Rev. B, 76, 035428 (2007)
- M.S. Altman, W.F. Chung, T. Franz. Surf. Rev. Lett., 05, 27 (1998)
- H. Hibino, Y. Homma, M. Uwaha, T. Ogino. Surf. Sci. Lett., 507, L222 (2003)
- M. Zinke-Allmang, L.С. Feldman, M.H. Grabow. Surf. Sci. Rep., 16, 377 (1992)
- P. Finnie, Y. Homma. Surf. Sci., 500, 437 (2002)
- Ch. Misbah, O. Pierre-Louis, Y. Saito. Rev. Mod. Phys., 82, 981 (2010)
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Appl. Surf. Sci., 60, 397 (1992)
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Ultramicroscopy, 48, 377 (1993)
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, S.I. Stenin. Surf. Sci., 227, 24 (1990)
- Yu. Hervieu, I. Markov. Surf. Sci., 628, 76 (2014)
- J.A. Venables, G.D.T Spiller, M. Hanbucken. Rep. Prog. Phys., 47, 399 (1984)
- B. Ranguelov, M. Altman, I. Markov. Phys. Rev. В, 75, 245419 (2007)
- H. Hibino, C.-W. Hu, T. Ogino, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. В, 63, 245402 (2001)
- A. Pang, K. Man, M. Altman, T. Stasevich, F. Szalma, T. Einstein. Phys. Rev. В, 77, 115424 (2008)
- В.J. Gibbons, S. Schaepe, J.P. Pelz. Surf. Sci., 600, 2417 (2006)
- Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Вестн. НГУ, 9, 156 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
