Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 2 » Статья стр. 234
<<<>>>
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC
DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44111.8335
Юрков С.Н.1, Мнацаканов T.T.1, Левинштейн М.Е.2, Тандоев А.Г.1, Palmour J.W.3
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Email: melev@nimis.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
PDF версия
Рассмотрено влияние неодномерных эффектов, обусловленных растеканием тока управления в базовом слое, на величину отпирающего тока управления тиристоров на основе 4H-SiC. Показано, что реализующийся в 4H-SiC тиристорах новый механизм переключения приводит к зависимости отпирающего тока управления от параметров тиристора, качественно отличающейся от соответствующей зависимости в традиционных кремниевых тиристорах. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44111.8335
  1. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. SiC thyristors". In: SiC Materials and Devices, ed. by M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein (World Scientific, Singapore--New Jersey--London--Hong Kong), 2006) v. 1
  2. A. Ogunniyi, H. O'Brien, A. Lelis, C. Scozzie, W. Shaheen, A. Agarwal, J. Zhang, R. Callanan, V. Temple. Sol. St. Electron., 54, 1232 (2010)
  3. S.L. Rumyantsev, M.E. Levinshtein, M.S. Shur, T. Saxena, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 27, 015012 (2012)
  4. S.L. Rumyantsev, M.E. Levinshtein, M.S. Shur, L. Cheng, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 28, 125017 (2013)
  5. T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 1581 (2003)
  6. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Sol. St. Electron., 47, 699 (2003)
  7. Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев. ФТП, 39, 372 (2005)
  8. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 26, 055024 (2011)
  9. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 1703 (2001)
  10. T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein, L. Cheng, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 29, 055005 (2014)
  11. S.N. Yurkov, T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L. Cheng, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 29, 125012 (2014)
  12. A.I. Uvarov. In: Physics of p-n junctions and semiconductor devices, ed. by S.M. Ryvkin, Yu.V. Shmartsev (Consultants Bureau--N. Y.--London, 1971) p. 170
  13. B.J. Baliga. Fundamental of Power Semiconductor Devices (Springer Science, 2008)
  14. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, T.T. Mnatsakanov, S.N. Yurkov, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 28, 015008 (2013)
  15. В.А. Кузьмин, С.Н. Юрков. РЭ, 25, 1264 (1980)
  16. П.Г. Дерменжи, Ю.А. Евсеев. РЭ, 17, 2365 (1972)
  17. A.V. Gorbatyuk, P.B. Rodin. Sol. St. Electron., 33, 387 (1990)
  18. Н.З. Вагидов., З.С. Грибников, А.Н. Коршак, В.В. Митин. ФТП, 29, 1958 (1995)
  19. Q. Zhang, A. Agarwal, C. Capell, M. O'Loughlin, A. Burk, J.W. Palmour, V. Temple, A. Ogunniyi, H. O'Brien, C.J. Scozzie. Proc. Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM2011, September 11--16 2011 (Cleveland, Ohio, USA) p. 409
  20. N.H. Fletcher Proc. IRE, 43, 551 (1955)
  21. Б. Шкловский, А. Эфрос. Электронные свойства легированных проводников (М., Наука, 1979)
  22. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M. Das, A.K. Agarwal. Semicond. Sci. Technol., 20, 62 (2005)
  23. V.S. Yuferev, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. ФТП, 47, 1068 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme