Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 2 » Статья стр. 269
<<<>>>
Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44117.8380
Закгейм А.Л.1, Ильинская Н.Д.2, Карандашев С.А.2, Лавров А.А.3, Матвеев Б.А.2, Ременный М.А.2, Стусь Н.М.2, Усикова А.А.2, Черняков А.Е.1
1НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Email: ioffeled@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
PDF версия
Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs (lambdamax=3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44117.8380
  1. S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov, A.A. Kapralov, G.Yu. Sotnikova. Physics Procedia, 73, 177 (2015)
  2. X. Zhou, X. Meng, A.B. Krysa, J.R. Willmott, J.S. Ng, Ch.H. Tan, IEEE Sens. J. 15 (10), 5555 (2015)
  3. А.А. Кузнецов, О.Б. Балашов, Е.В. Васильев, С.А. Логинов, А.И. Луговской, Е.Я. Черняк, Приборы и системы. Управление контроль, диагностика, N 6, 55 (2003)
  4. A.Krier, M.Yin, A.R.J. Marshall, S.E. Krier. Journal of ELECTRONIC MATERIALS DOI: 10.1007/s11664-016-4373-0 DOI:10.1007/s11664-016-4373-0 (http://paperity.org/p/75304169/low-bandgap-inas- based-thermophotovoltaic-cells-for-heat-electricity-conversion) (2016)
  5. B. Matveev., N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. St. sol. (c) 2 (2), 927 (2005)
  6. Indium Arsenide Detectors, Judson Technologies LLC, www.judsontechnologies.com
  7. B.A. Matveev, A.V. Ankudinov, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, T.V. L'vova, M.A. Remennyy, A.Yu. Rybal'chenko, N.M. Stus'. Proc. SPIE, 7597, 75970G (2010)
  8. P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, N.G. Karpukhina, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infrared Physics and Technology, 76, 542 (2016), DOI information: 10.1016/j.infrared.2016.04.002
  9. М.А. Ременный, П.Н.Брунков, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г.Карпухина, А.А.Лавров, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Тр. 24-ой Межд. науч.-технич., конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-27 мая 2016 года, Москва, стр. 111 (2016)
  10. www.ioffeled.com
  11. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикладная Физика, N 2, 97 (2005)
  12. К.Ю. Гуга, А.Г. Коллюх, А.И. Липтуга, В.А. Мороженко, В.И. Пипа. ФТП, 38 (5), 524(2004)
  13. B.A. Matveev, Yu.M. Zadiranov, A.L. Zakgeim, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyy, N.M. Stus', A.A. Usikova, O.A. Usov, A.E. Cherniakov. Proc. of SPIE, 7223, 72231B-1-7 (2009), doi: 10.1117/12.808130
  14. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова, А.Е. Черняков. Прикладная Физика, N 6, 143 (2008)
  15. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.А. Шленский, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, А.В. Корюк, Н.Г. Тараканова. ФТП, 41 (11), 1389 (2007)
  16. P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infrared Phys. Technol., 73, 232 (2015)
  17. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. ФТП, 43 (3), 412 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme