Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние имплантации H+ на оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия в ИК-области спектра
1Институт физики, Цзилинский университет, Чанчунь, КНР
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского, Кременчуг, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского, Кременчуг, Украина
Email: lvb@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 12 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Исследованы оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия (АГЧП), подвергнутого мультиэнергетической имплантации ионов водорода и обработке в высокочастотном электромагнитном поле, в инфракрасной области спектра. Установлено, что такая комбинированная обработка позволяет существенно повысить пропускание кристалла АГЧП до величин, характерных для кристаллов хорошего оптического качества. На основе анализа результатов исследования пропускания и отражения АГЧП в инфракрасной области спектра, спектров комбинационного рассеяния света, морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии предложена физическая модель, объясняющая наблюдаемые эффекты. Модель учитывает взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами структуры АГЧП, а также эффект компенсации дефектных центров водородом в процессе высокочастотной обработки. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44200.8267
- Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин. Электроника инфо, микро- и наноэлектроника, 3, 10 (2013)
- B.L. Sharma. Def. Sci. J., 39 (4), 353 (1989)
- R. Singh, S.H. Christiansen, O. Moutanabbir, U. Gosele. J. Electron. Mater., 39 (10), 2177 (2010)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31 (14), 1201 (1995)
- C. Deguet, L. Sanchez, T. Akatsu, F Allibert, J. Dechamp, F. Madeira, F. Mazen, A. Tauzin, V. Loup, C. Richtarch, D. Mercier, T. Signamarcheix, F. Letertre, B. Depuydt, N. Kernevez. Electron. Lett., 42 (7), 415 (2006)
- I. Radu, I. Szafraniak, R. Scholz, M. Alexe,U. Gosele. J. Appl. Phys., 94 (12), 7820 (2003)
- Hyung-Joo Woo, Han-Woo Choi, Joon-Kon Kim. J. Semicond. Technol. Sci., 6 (2), 95 (2006)
- P. Zukowski, T. Koltunowicz, J. Partyka, P. Wegierek, F.F. Komarov, A.M. Mironov, N. Butkievith, D. Freik. Vacuum, 81 (10), 1137 (2007)
- S.J. Pearton. Int. J. Mod. Phys. B, 7, 4687 (1993)
- J.M. Zavada, H.A. Jenkinson, R.G. Sarkis, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 58 (10), 3731 (1985)
- M. Udhayasankar, J. Kumar, P. Ramasamy, D.K. Avasthi, D. Kabiraj. Cryst. Res. Technol., 35, 1173 (2000)
- W.C. Dautrmont-Smith. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 104, 313 (1988)
- N.I. Klyui, A.I. Liptuga, V.B. Lozinskii, A.P. Oksanich, V.A. Terban, F.V. Fomovskii. Techn. Phys. Lett., 38 (11), 1016 (2012)
- M.F. Whitaker, D.J. Dunstan. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 2861 (1999)
- J.M. Zavada, H.A. Jenkinson, R.G. Wilson, D.K. Sadana, J. Appl. Phys., 57, 2299 (1985)
- T. Hauser, L. Bredell, H. Gaigher, H. Alberts, A. Botha, M. Hayes, E. Friedland. Mater. Sci. Forum, 248-249, 253 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
