Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO₂ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44220.8387

Паршина Л.С.¹, Храмова О.Д.¹, Новодворский О.А.¹, Лотин А.А.¹, Петухов И.А.², Путилин Ф.Н.², Щербачев К.Д.³

¹Институт проблем лазерных и информационных технологий --- филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия Institute on Laser and Information Technologies—Branch of the Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Moscow region, Russia

Institute on Laser and Information Technologies—Branch of the Federal Scientific Research Center “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Moscow region, Russia

²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Email: ParshinaLiubov@mail.ru, OKhram48@mail.ru, onov@mail.ru, lotin_82@mail.ru

Поступила в редакцию: 9 августа 2016 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом импульсного лазерного осаждения со скоростной сепарацией частиц на подложках кварцевого стекла без последующего отжига получены тонкие пленки SnO₂ : Sb при различных условиях осаждения в диапазоне плотности энергии на мишени от 3.4 до 6.8 Дж/см². Исследованы их оптические, структурные и электрические свойства. Установлено, что плотность энергии на мишени влияет на проводимость и пропускание пленок SnO₂ : Sb. Определены оптимальные условия получения пленок бескапельным методом импульсного лазерного осаждения. Минимум удельного сопротивления 1.2·10^-3 Ом·см наблюдался при плотности энергии на мишени 4.6 Дж/см², температуре подложки 300^oC и давлении кислорода в вакуумной камере в процессе осаждения 20 мТорр. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44220.8387

A. Goetzberger, C. Hebling. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 62, 1 (2000)
P. Nelli, G. Faglia, G. Sverbeglieri, E. Cereda, G. Garbetta, A. Dieguez, A.R. Rodriguez, J.R. Morante. Thin Sol. Films, 371, 249 (2000)
G. Frank, E. Kaur, H. Kostlin. Sol. Energy Mater, 8, 387 (1983)
Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, А.Н. Шатохин, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. ФТП, 46 (3), 425 (2012)
H. Kim, A. Pique. Appl. Phys. Lett., 84 (2), 218 (2004)
B. Thangaraju. Thin Sol. Films, 402, 71 (2002)
E. Elangovan, S.A. Shivashankar, K. Ramamurthi. J. Cryst. Growth, 276, 215 (2005)
D. Liu, Q. Wang, H.L.M. Chang, H. Chen. J. Mater. Res., 10, 1516 (1995)
A.C. Arias, L.S. Roman, T. Kugler, R. Toniolo, M.S. Meruvia, I.A. Hiummelgen. Thin Sol. Films, 371, 29 (2000)
O.K. Varghese, L.K. Malhotra. J. Appl. Phys., 87, 7457 (2000)
B. Stjerna, E. Olsson, C.G. Granqvist. J. Appl. Phys., 76, 3797 (1994)
А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Е.В. Хайдуков, В.В. Рочева, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К.Д. Щербачев. ФТП, 44 (2), 260 (2010)
D.B. Chrisey, G.K. Hubler. Pulsed laser deposition of thin films (N. Y., John Wiley and Sons, 1994)
H. Kim, C.M. Gilmore, A. Pique, J.S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. J. Appl. Phys., 86, 6451 (1999)
С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, К.И. Маслаков, И.А. Лихачев, Э.М. Пашаев, К.Ю. Черноглазов, Н.С. Перов, В.А. Кульбачинский, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, Е.В. Хайдуков, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко. ФТП, 46 (12), 1546 (2012)
Л.С. Паршина, А.А. Лотин, Д.А. Зуев, Е.В. Хайдуков, О.Д. Храмова, А.В. Шорохова, О.А. Новодворский, В.Я. Панченко. Перспективные матер., 14, 255 (2013)
Л.С. Паршина, О.Д. Храмова, О.А. Новодворский, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева, А.А. Лотин, К.Д. Щербачев, В.Я. Панченко. Вычислительные нанотехнологии, 1, 62 (2014)
О.А. Новодворский, А.А. Лотин, Е.В. Хайдуков. Патент РФ на полезную модель N 89906, бюллетень N35 (20.12.2009)
И.А. Петухов, Л.С. Паршина, Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, А.Н. Шатохин, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева, В.Ф. Козловский, К.И. Маслаков, В.К. Иванов, А.М. Гаськов. Неорг. матер., 49 (11), 1211 (2013)
J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
S. Assia, O. Ratiba, M.E. Mahdi, K. Mohamed. Intern. J. Chem. Biol. Eng., 2 (1), 48 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель