Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: ZaytsevaElza@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
Исследована подвижность электронов mueff в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда Ne и температуры T при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда (Ne>6·1012 cм-2) зависимости mueff(T) позволяют выделить компоненты подвижности mueff, связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Зависимости mueff(Ne) могут быть аппроксимированы степенными функциями mueff(Ne) propto Ne-n. Определены значения показателей n зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов Ne и режимов пленки со стороны поверхности. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44334.8369
- T. Rudenko, V. Kilchytska, S. Burignat, J.P. Raskin, F. Andrieu, O. Faynot. Sol. St. Electron., 54, 164 (2010)
- A. Ohata, S. Cristoloveanu, A. Vandooren, M. Casse, F. Dauge. Microelectron. Eng., 80, 245 (2005)
- E. Simoen, A. Mercha, C. Claeys, N. Lukyanchikova, N. Garbar. IEEE Trans. Electron Dev., 51 (6), 1008 (2004)
- S. Eminente, S. Cristoloveanu, R. Clerc, A. Ohata, G. Ghibaudo. Sol. St. Electron., 51, 239 (2007)
- C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, M. Vanzi. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 7 (11), 1164 (1988)
- M.N. Darwish, J.L. Lentz, M.R. Pinto, P.M. Zeitzoff, T.J. Krutsick, H.H. Vuong. IEEE Trans. Electron Dev., 44 (9), 1529 (1997)
- A. Ciprut, A. Chelly, A. Karsenty. Active Passive Electron. Comp., 2015, 1 (2015)
- S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, H. Tango. IEEE Trans. Electron Dev., 41 (12), 2357 (1994)
- K. Chen, H. Clement Wann, J. Dunster, P.K. Ko, C. Hu. Sol. St. Electron., 39 (10), 1515 (1996)
- Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (М., Техносфера, 2002)
- S. Cristoloveanu, N. Rodriguez, F. Gamiz. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (6), 1327 (2010)
- О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов. ФТП, 49 (10), 1360 (2015)
- O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semocond. Sci. Technol., 25, 055004 (2010)
- K. Uchida, J. Koga, S. Takagi. J. Appl. Phys., 102, 074510 (2007)
- A. Ortiz-Conde, F.J. Garcia Sanchez, J.J. Liou, A. Cerdeira, M. Estrada, Y. Yue. Microelectron. Reliab., 42, 583 (2002)
- H.K. Lim, J.G. Fossum. IEEE Trans. Electron Dev., 30 (10), 1244 (1983)
- T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre. Sol. St. Electron., 117, 66 (2016)
- D.B. Klaassen. Sol. St. Electron., 35 (7), 953 (1992)
- D.B. Klaassen. Sol. St. Electron., 35 (7), 961 (1992)
- N. Goel, A. Tripathi. Intern. J. Computer Applications, 42 (21), 56 (2012)
- N. Rodriguez, J.B. Roldan, F. Gamiz. Semicond. Sci. Technol., 22, 348 (2007)
- A. Chaudhry, S. Sangwan, J. N. Roy. Contemp. Eng. Sci., 4 (5), 229 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
