Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный горный университет, Санкт-Петербург, Россия .andrianov
2Санкт-Петербургский государственный горный университет, Санкт-Петербург, Россия .andrianov
Email: alex.andrianov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
В кремниевых p+-n-структурах обнаружена инжекционная электролюминесценция в терагерцовом диапазоне при гелиевых температурах. Исследовались структуры, созданные диффузией бора в легированный фосфором n-кремний. В спектрах терагерцового излучения на фоне широкого плавного фона наблюдаются сравнительно узкие линии люминесценции. Спектральное положение ряда линий соответствует оптическим переходам в донорах фосфора. Внутрицентровые переходы электронов в донорах фосфора возбуждаются в результате рекомбинационных процессов, происходящих в n-области структуры при инжекции неравновесных дырок. Ряд других линий в спектрах терагерцового излучения связан с внутрицентровыми переходами в акцепторных центрах, которые также возбуждаются в результате инжекции. Бесструктурный фон в спектрах электролюминесценции может быть связан с излучением при внутризонной энергетической релаксации горячих" носителей заряда, с эффективной температурой, превышающей температуру решетки, которые появляются в структуре в условиях инжекции. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44420.8432
- M. Hangyo. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 120101 (2015)
- Terahertz spectroscopy and imaging, ed. by K.-E. Peiponen, J.A. Zeitler, M. Kuwata-Gonokami (Spriger-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2013)
- P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 50, 910 (2002)
- R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi. Nature, 417, 156 (2002)
- B.S. Williams. Nature Photonics, 1, 517 (2007)
- S.H. Koenig, R.D. Brown. Phys. Rev. Lett., 4, 170 (1960)
- Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, K.A. Korolev, V.P. Sinis, M.S. Kagan, E.E. Haller, M.A. Odnobludov, I.N. Yassievich, K.-A. Chao. Appl. Phys. Lett., 75, 757 (1999)
- T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83, 713 (2003)
- P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Kolodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnoblyudov, M.S. Kagan. Appl. Phys. Lett., 85, 22 (2004)
- А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 79, 448 (2004)
- S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, V.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000)
- H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, M. Greiner-Bar, M.H. Rummel, M.F. Kimmit, R.Kh. Zhukavin, H. Riemann, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B, 233, 191 (2002)
- A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.Yu. Egorov, N.N. Zinov'ev. Appl. Phys. Lett., 96, 211118 (2010)
- А.О. Захарьин, А.В. Бобылев, А.В. Андрианов. ФТП, 46, 1158 (2012)
- А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Р.Х. Жукавин, В.Н. Шастин, Н.В. Абросимов, А.В. Бобылев. Письма ЖЭТФ, 100, 876 (2014)
- A.V. Andrianov, J.P. Gupta, J. Kolodzey, V.I. Sankin, A.O. Zakhar'in, Yu.B. Vasilyev. Appl. Phys. Lett., 103, 221101 (2013)
- Н.Н. Зиновьев, А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Г. Хилл, Дж.М. Чемберлен. ФТП, 36, 234 (2002)
- C. Jagannath, Z.W. Grabowski, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 23, 2082 (1981)
- R. Buczko. Nuovo Cimento, 9, 669 (1987)
- R. Buczko, F. Bassani. Phys. Rev. B, 45, 5838 (1992)
- A. Onton, P. Fisher, A.K. Ramdas. Phys. Rev., 163, 686 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
