Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95Te5
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Email: seva_atayeva@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и морфология поверхности пленок Se95Te5, а также влияние на них легирования самарием. C использованием параметров первого резкого дифракционного максимума (FSDP), наблюдаемого в картинах распределения интенсивности дифракции рентгеновских лучей, определены численные значения параметров локальной структуры, в частности "квазипериод" флуктуаций плотности, длина корреляции, диаметры нанопустот. Кроме того, определены численные значения амплитудных параметров шероховатости поверхности. Установлено, что с увеличением процентного содержания примеси самария наблюдается рост разупорядочения в атомной структуре и рост неоднородностей на поверхности исследуемых пленок. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44561.8228
- I. Aggarwal, J. Sanghera. Optoelectron. Adv. Mater., 4 (3), 665 (2002)
- J. Viens, C. Meneghini, A. Villeneuve, T. Galstian, E. Knystautas, M. Duguay, K. Ricardson, T. Cardinal. J. Lightwave. Technol., 17, 1184 (1999)
- Y. Ruan, W. Li., R. Jarvis et al. Opt. Express, 12, 5140 (2004)
- A. Kovalskiy, M. Vlcek, H. Jain, A. Fiserova, C.M. Waits, M. Dubey. J. Non-Cryst. Sol., 352, 589 (2006)
- A. Ozols, D. Saharovs, M. Reinfelde. J. Non-Cryst. Sol., 352, 2652 (2006)
- X. Zhang, H. Ma, J. Lucas. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5, 1327 (2003)
- С.И. Мехтиева, А.И. Исаев, С.У. Aтаева, В.З. Зейналов. ФТП, 48 (9), 1182 (2014)
- Р.И. Алекберов, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева. ФТП, 48 (6), 818 (2014)
- Р.И. Алекберов, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева, А.И. Исаев. ФТП, 48 (6), 823 (2014)
- R.I. Alekberov, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. Chalcogenide Lett., 10 (9), 335 (2013)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- F. Sava, A. Lorinczi, M. Popescu, G. Sokol, E. Axente, I.N. Mihailscu, M. Nistor. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1367 (2006)
- L.E. Busse, S.R. Nagel. Phys. Rev. Lett., 41, 1848 (1981)
- L.E. Busse. Phys. Rev. Lett. B, 29, 3639 (1984)
- K. Tanaka. Philos. Mag. Lett., 57, 183 (1988)
- T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk, V.T. Boyko. J. Phys. Chem. Solids, 68, 712 (2007)
- T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7, 2267 (2007)
- O.I. Shpotyuk, A. Kozdras, T.S. Kavetskyy, J. Filipecki. J. Non-Cryst. Sol., 352, 700 (2006)
- S.R. Elliott. Phys. Rev. Lett., 67, 711 (1991)
- S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 182, 40 (1995)
- Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 9
- P.H. Gaskell. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1003 (2005)
- O.P. Rachek. J. Non-Cryst. Sol., 352, 3781 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
