Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn₄Sb₃

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44653.39

Панченко В.П.^1,2, Табачкова Н.Ю.², Иванов А.А.¹, Сенатулин Б.Р.², Андреев Е.А.²

¹ОАО "Гиредмет", Москва, Россия Joint Stock Company “Giredmet”, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Email: vppanchenko@mail.ru

Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование влияния условий синтеза на структуру и термоэлектрические свойства материалов на основе антимонида цинка. Рассмотрены вопросы, касающиеся влияния избыточного Zn, режимов искрового плазменного спекания и легирования In на фазовый состав и термостабильность свойств полученного материала. Материал получали методом прямого сплавления компонентов с последующим искровым плазменным спеканием. Показано, что при определенных режимах искрового плазменного спекания введение избыточного количества Zn и легирование In позволяют получить материал beta-Zn₄Sb₃ со значением термоэлектрической эффективности ZT~1.47 при температуре 720 K, который показал стабильность свойств в рамках проведенных испытаний. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44653.39

А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы (М.-Л., Изд-во АН СССР, 1960) гл. IV, с. 127
T. Caillat, J.-P. Fleurial, A. Borshchevsky. J. Phys. Chem. Solids, 58, 1119 (1997)
E.S. Toberer, K.A. Sasaki, C.R.I. Chisholm, S.M. Haile, W.A. Godard III, G.J. Snyder. Phys. Status Solidi RRL, 1, 253 (2007)
B.L. Pedersen, H. Birkedal, P.T. Frederiksen, B.B. Iversen. 25th Intern. Conf. Thermoelectrics Pr. ICT' (Vienna, Austria, 2006) p. 520
B.B. Iversen. J. Mater. Chem., 20, 10778 (2010)
T. Dasgupta, H. Yin, J. de Boor, C. Stiewe, B.B. Iversen, E. Muller. J. Electron. Mater., 42, 1988 (2013)
D. Thang, W. Zhao, J. Yu, P. Wei, H. Zhou, W. Zhu, Q. Zhang. J. Alloys Comp., 601, 50 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель