Вышедшие номера
Тензосопротивление n-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него
Гайдар Г.П.1, Баранский П.И.2
1Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: gaydar@kinr.kiev.ua
Поступила в редакцию: 29 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.

Экспериментально и теоретически исследованы изменения тензосопротивления, тензомагнето- и магнетотензосопротивления в широких диапазонах напряженностей магнитного поля, 0≤ H≤100 кЭ, и механических напряжений, 0 ≤ X ≤ 0.7 ГПа, при 77 K в условиях невырожденной статистики электронного газа в кристаллах n-Ge разной кристаллографической ориентации. DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44657.8465