Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 8 » Статья стр. 1078
<<<>>>
Сложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb
DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44793.8454
Соболев В.В.1, Перевощиков Д.А.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Email: sobolev@uni.udm.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
PDF версия
Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15-40 эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0.006-0.10 (InAs) и 0.014-0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчитаны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса-Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44793.8454
  1. B.D. Malone, M.L. Cohen. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 105503 (2013)
  2. В.В. Соболев, Д.А. Перевощиков. ФТП, 49, 584 (2015)
  3. S. Namjoo, A.S.H. Rozatian, I. Jabbari, P. Puschnig. Phys. Rev. B, 91, 205205 (2015)
  4. С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, А.А. Капралов, Г.Ю. Сотникова. ПЖТФ, 50 (5), 81 (2016)
  5. В.В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Т. 2. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами (М.-Ижевск, изд-во Института компьютерных исследований, 2012)
  6. В.В. Соболев. Оптические фундаментальные спектры соединений A3B5 (Кишинев, Штиинца, 1979)
  7. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  8. В.Д. Дымников. ФТТ, 43, 1957 (2001)
  9. А.Н. Пихтин, Х.Х. Хегази. ФТП, 43, 1301 (2009)
  10. А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова. Изв. вузов. Физика, 57 (7), 122 (2014)
  11. M.O. Nestoklon, R. Benchamekh, P. Voisin. J. Phys.: Condens. Matter, 28, 305801 (2016)
  12. В.В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. Т. 1. Введение в теорию (М.-Ижевск, Изд-во Института компьютерных исследований, 2012)
  13. H.R. Philipp, H. Ehrenreich. Phys. Rev., 129, 1550 (1963)
  14. W. Gudat, E.E. Koch, P.Y. Yu, M. Cardona, C.M. Penchina. Phys. Status Solidi B, 52, 505 (1972)
  15. D.E. Aspnes, M. Cardona, V. Saile, M. Skibowski, G. Sprussel. Solid State Commun., 31, 99 (1979)
  16. M. Skibowski, G. Sprussel, V. Saile. Appl. Optics, 19, 3978 (1980)
  17. J. Barth, R.L. Johnson, M. Cardona, D. Fuchs, A.M. Bradshaw. Proc. 19th Int. Conf. Phys. Semicond. (Warsaw, Poland, 1988) v. 2, p. 885
  18. M. Cardona, N.E. Christensen, G. Fasol. Phys. Rev. B, 38, 1806 (1988)
  19. J. Wang, Y. Zhang, L.-W. Wang. Phys. Rev. B, 92, 045211 (2015)
  20. A. Cakan, C. Sevik, C. Bulutay. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 085104 (2016)
  21. F. Bechstedt. Many-body approach to electronic excitations. Concepts and applications (Berlin, Springer Verlag, 2015)
  22. S. Sharma, J.K. Dewhurst, C. Ambrosch-Draxl. Phys. Rev. Lett., 95, 136402 (2005)
  23. N.N. Anua, R. Ahmed, A. Shaari, M.A. Saeed, B.U. Haq, S. Goumri-Said. Semicond. Sci. Technol., 28, 105015 (2013)
  24. В.В. Соболев, В.В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
  25. В.В. Соболев, В.Вал. Соболев, Д.В. Анисимов. ФТП, 50, 30 (2016)
  26. A.I. Kalugin, V.V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, 115112 (2005)
  27. V.Val. Sobolev, V.V. Sobolev. Semicond. and Semimet., 79, 201 (2004)
  28. В.В. Соболев, Д.А. Мерзляков, В.Вал. Соболев. ЖПС, 83, 552 (2016)
  29. S. Adachi. Phys. Rev. B, 35, 7454 (1987)
  30. T.J. Kim, S.Y. Hwang, J.S. Byun, M.S. Diware, J.Y. Kim, Y.D. Kim. J. Korean Phys. Soc., 61, 1821 (2012)
  31. R.O. Jones. Rev. Mod. Phys., 87, 897 (2015)
  32. J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett., 100, 136406 (2008)
  33. A. Gulans, S. Kontur, Ch. Meisenbichler, D. Nabok, P. Pavone, S. Rigamonti, S. Sagmeister, U. Werner, C. Draxl. J. Phys.: Condens. Matter, 26, 363202 (2014)
  34. L. Ley, R.A. Pollak, F.R. McFeely, S.P. Kowalczyk, D.A. Shirley. Phys. Rev. B, 9, 600 (1974)
  35. N.J. Shevchik, J. Tejeda, M. Cardona. Phys. Rev. B, 9, 2627 (1974)
  36. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  37. Landolt-Bornstein --- Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, ed. by O. Madelung, M. Schultz, H. Weiss (Heidelberg, Springer, 1982) v. 3, pt 17a
  38. Landolt-Bornstein --- Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik, ed. by O. Madelung, M. Schultz, H. Weiss (Heidelberg, Springer, 1987) v. 3, pt 22a
  39. Landolt-Bornstein Database (Springer Materials), ed. by O. Madelung, A. Goldmann, E.-E. Koch (Berlin, Springer, 1989).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme