Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44876.8527

Мaтяш И.Е.¹, Минайлова И.А.¹, Сердега Б.К.¹, Хируненко Л.И.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: i_matyash@ukr.net, irinaminailova125@gmail.com, bserdega@gmail.com, lukh@iop.kiev.ua

Поступила в редакцию: 20 января 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

PDF версия

Исследованы распределения внутренних механических напряжений нелегированного и легированного оловом кремния и влияния на них облучения электронами с энергией 5 МэВ и температурной обработки при 450^oC. Измерения напряжений проводились методом, основанным на регистрации двулучепреломления с помощью модуляционной поляриметрии. Показано, что легированный оловом кремний имеет полосы точечных дефектов с неоднородным распределением остаточных напряжений до 20 кг/см². Температурная обработка при 450^oC приводит к повышению остаточных напряжений в образце до 50 кг/см². Выявлено, что радиационные дефекты, которые образовались при облучении кремния, легированного оловом, приводят к уменьшению остаточных напряжений до 2-3 кг/см². DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44876.8527

T. Hideki. J. App. Phys., 43, 4055 (2004)
S.W. Glunz, R. Preu, D. Biro. Comprehensive Renewable Energy, 1, chap. 1.16 (2012)
A. Bukowski. Acta Phys. Polon. A, 124, 235 (2013)
L.I. Khirunenko, O.O. Kobzar, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, M.O. Tripachko. Phys. B, 340, 541 (2003)
L.I. Khirunenko, O.O. Kobzar, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, M.O. Tripachko, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Phys. B, 340, 546 (2003)
Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова. ФТТ, 50, 26 (2008)
L.I. Berezhinsky, I.L. Berezhinsky, O.N. Grigorev, B.K. Serdega, V.A. Ukhimchuk. J. Eur. Ceram., 27, 2513 (2007)
И.Е. Матяш, Б.К. Сердега. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 40, 155 (2005)
V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth., 59, 625 (1982)
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga. Phys. B, 401, 560 (2007)
T. Marek, M. Werner, G. Gerth. Cryst. Res. Technol., 35, 769 (2000)
М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, М.П. Павлов. ФТТ, 43, 1 (2001)
Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Л.И. Хируненко, В.И. Яшник. ФТП, 34, 1035 (2000)
F. Shimura. Semicond. Semimet., 42, 191 (1994).
Proc. NATO Advanced Workshop on the Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (Exeter, U.K., 1996), ed. by R. Jones. NATO ASI Ser., 3. High Technology (Kluwer, Academic Publishers, Dordrecht, 1996) v. 17
V.P. Markevich, L.F. Makarenko, L.I. Murin. Mater. Sci. Forum., 589, 38 (1989)
S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
L.I. Khirunenko, O.A. Kobzar', Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, N.A. Tripachko, N.V. Abrosimov, H. Riemann. Sol. St. Phenomena, 95--96, 393 (2004)
L.I. Khirunenko, O.A. Kobzar, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, N.A. Tripachko, V.P. Markevich, L.I. Murin, A.R. Peaker. Phys. Status. Solidi C, 0, 694 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель