Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), конкурс проектов фундаментальных научных исследований , 16-07-00666
Президиум РАН, Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий
Гольдман Е.И.
1, Левашов С.А.
1, Нарышкина В.Г.
1, Чучева Г.В.
1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия 
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник (МОП) на n-Si-МОП подложках с толщиной окисла 39 Angstrem, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. Показано, что воздействие на сверхтонкий изолирующий слой сильного, но допробойного, электрического поля приводит к образованию большого числа дополнительных пограничных локализованных электронных состояний с уровнем, отстоящим от дна зоны проводимости кремния на 0.14 эВ. Обнаружено, что перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения обеспечивает накопление у границы раздела кремний-окисел избыточного заряда до 8·1012 см-2. Время жизни, рожденных при полевом воздействии, локальных центров составляет двое суток; после этого зависимости заряда, локализованного на границе раздела полупроводник-диэлектрик, от напряжения на затворе в состояниях до стресса и после стресса практически совпадают. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44881.8512
- G. Cellere, S. Gerardin, Al. Paccagnella. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf (CRC Press, 2008) chap. 17, p. 497
- E.H. Poindexter. Semicond. Sci. Technol., 4, 961 (1989)
- F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27, 1651 (1980)
- T.R. Oldham, F.B. McLean, H.E. Boesch, J.M. McCarrity. Semicond. Sci. Technol., 4, 986 (1989)
- M.L. Reed. Semicond. Sci. Technol., 4, 980 (1989)
- M. Durr, Z. Hu, A. Biedermann, U. Hofer, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 63, 121315(R) (2001)
- K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92, 2593 (2002)
- Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева ФТП, 45, 974 (2011)
- S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (N.J., John Willey and Sons, Inc., 2007)
- L.F. Lonnum, J.S. Johannessen. Electron. Lett., 22, 456 (1986)
- Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49, 483 (2015)
- J.Y. Kevin, H. Chenming. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 1500 (1999)
- E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS ( Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey and Sons, 1982).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
