Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44883.8509

Данилов Л.В.¹, Михайлова М.П.¹, Андреев И.А.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: danleon84@mail.ru

Поступила в редакцию: 6 февраля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

PDF версия

Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольт-амперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере p-i-n-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в i-области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с p-i-n-структурой без промежуточного двумерного слоя. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44883.8509

L.V. Danilov, A.A. Petukhov, M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, K.V. Kalinina, G.G. Zegrya, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, A. Hospodkova, J. Pangrac, I. Oswald, M. Zikova, E. Hulicius. 23rd Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2015)
F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho, R. Hull, A.L. Hutchinson. Phys. Rev. Lett., 50, 1152 (1985)
Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 47 (10), 1347 (2013)
И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, А.А. Рогачев, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (5), 389 (1988)
Л.В. Данилов, А.А. Петухов, М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, Э.В. Иванов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 50 (6), 794 (2016)
I.H. Tan, G.L. Snider, L.D. Chang, E.L. Hu. J. Appl. Phys., 68, 4071 (1990)
P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Физматлит, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель