Вышедшие номера
Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами
Данилов Л.В.1, Михайлова М.П.1, Андреев И.А.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: danleon84@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Работа посвящена теоретическому исследованию влияния электростатического потенциала, индуцированного носителями заряда одного знака, локализованными в глубокой квантовой яме, на вольт-амперные характеристики фотоприемных гетероструктур. На примере p-i-n-структуры с одиночной глубокой квантовой ямой для электронов, находящейся в i-области, показано, что экранирование внешнего приложенного электрического поля приводит к увеличению дифференциальной фотопроводимости такой гетероструктуры по сравнению с p-i-n-структурой без промежуточного двумерного слоя. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44883.8509