Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с p-n-переходами. I. Физика процесса переключения
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия 
Email: semlab@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Впервые проведено численное моделирование процесса переключения высоковольтных кремниевых фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров под действием квазиоднородного по площади освещения пикосекундными лазерными импульсами. Анализ результатов позволил получить эмпирические" соотношения между основными параметрами коммутаторов (энергией управляющих импульсов, коэффициентом поглощения излучения, площадью структур) и параметрами, характеризующими переходный процесс переключения в цепи с активной нагрузкой. Для некоторых из этих соотношений выведены приближенные аналитические формулы, хорошо описывающие результаты моделирования. Отмечено, что различия между процессами коммутации в трех типах структур проявляются только при больших длительностях импульсов на заключительной стадии, когда восстанавливается блокирующая способность фотодиодов и фототранзисторов. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44891.8494
- И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 8, 672 (1974)
- И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев. ФТП, 10, 345 (1976)
- O.S.F. Zucker, J.R. Long, V.I. Smith, D.J. Page, P.L. Hower. Appl. Phys. Lett., 29, 261 (1976)
- В.М. Волле, И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Г. Чашников. Письма ЖТФ, 3 (20), 1077 (1977)
- И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Н. Яссиевич. ЖТФ, 49, 1013 (1979)
- В.М. Волле, В.М. Воронков, И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Г. Чашников. ЖТФ, 51 (2), 373 (1981)
- И.В. Грехов, В.Г. Сергеев, М.Е. Левинштейн, И.Г. Чашников, В.М. Волле, В.М. Воронков, И.Н. Яссиевич. Патент СССР N 730227. Опубл. 07.10.1982 г., Бюллетень N 37
- D. Giorgi, P.K.L. Yu, J.R. Long, V.D. Lew, T. Navapanich, O.S.F. Zucker. J. Appl. Phys., 63, 930 (1988)
- J.H. Hur, P. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Dapkus H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 2520 (1990)
- H.D. Sanders, S.C. Glidden, D.M. Warnow. In: 2011 IEEE Pulsed Power Conference, (IEEE, 2011) p. 794
- S.C. Glidden, H.D. Sanders. US Patent N 8, 461, 620 B2 (2013)
- http://www.ipgphotonics.com/category/4/Lasers
- И.В. Грехов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 13, 1710 (1979)
- И.В. Грехов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 14, 1747 (1980)
- А.С. Кюрегян. ФТП, 48, 1686 (2014)
- T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid-State Electron., 30, 579 (1987)
- M.A. Green. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 92, 1305 (2008)
- D. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
- H. Benda, F. Dannhauser. Solid-State Electron., 11, 1 (1968)
- И.В. Грехов, А.С. Кюрегян. ЖТФ, 75, 88 (2005)
- J. Lutz, R. Baburske. Microelectron. Reliab., 52, 475 (2012)
- H.-J. Schulze, F.-J. Niedernostheide, F. Pfirsch, R. Baburske. IEEE Trans. Electron Dev., 60, 551 (2013)
- А.В. Горбатюк, Д.В. Гусин, Б.В. Иванов. ФТП, 47, 373 (2013)
- J.L. Moll, I.M. Ross. Proc. IRE, 44, 72 (1956)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
