Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Обсуждаются результаты выращивания изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs. Исследованы состав, кристаллическое качество и люминесцентные свойства гетероструктур. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45025.8511
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Пятикомпонентные твердые растворы соединений ( новые материалы оптоэлектроники) (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 1992)
- В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений AIIIBV. (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2003)
- Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, И. Исмаилов. Итоги науки и техники. Радиотехника, 21, 3 (1980)
- C. Ma, M. Dech, L. Tarof, I. Yn. IEEE Trans. Electron Dev., 42 (5), 810 (1995)
- В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.В. Кузнецов. Письма ЖТФ, 29 (20), 33 (2003)
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования, 6, 103 (2014)
- С.Н. Чеботарев, М.Л. Лунина, Д.Л. Алфимова. Наноструктуры AIVBIV и AIIIBV для устройств оптоэлектроники (Ростов-н/Д., Изд-во ЮНЦ РАН, 2014)
- С.Н. Чеботарев, В.В. Калинчук, Л.С. Лунин. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной (М., Изд-во Физматлит, 2016)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev. V.D. Rumyantsev. In: Concentrator Photovoltaic, ed. by A. Luque and V. Andreev [Springer Ser. in Optical Sci., 130, 25 (2007)]
- В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Изд-во Сов. радио, 1975)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Изд-во Металлургия, 1987)
- Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2008)
- Л.С. Лунин, И.А. Сысоев. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники (Ростов-н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2008)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Физика, 7, 41 (1989)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Физика, 1, 59 (1989)
- В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии, 85 (12), 1 (2011)
- S. Mukai, H. Jajima, S. Janagisawa, N. Kutsuwada. Appl. Phys. Lett., 44 (9), 904 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
