Вышедшие номера
Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
Министерство образования и науки России, государственное задание, 4.8337.2017/БЧ
Горшков А.П. 1, Волкова Н.С. 2,3, Воронин П.Г.1, Здоровейщев А.В. 2, Истомин Л.А. 3, Павлов Д.А. 1, Усов Ю.В.1, Левичев С.Б. 2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkovap@mail.ru, volkovans88@mail.ru, zdorovei@gmail.com, laistmn@gmail.com, pavlov@unn.ru, slevichev@hotmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02