Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
Министерство образования и науки Российской Федераци, Проектная часть госзадания, 8.1751.2017/ПЧ
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативный проект, 15-02-07824_а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативный проект, 16-07-01102_а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Молодежный инициативный проект, 17-37- 80008_мол_эв_а
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Стипендия Президента РФ, СП-2015
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента РФ, МК-8221.2016.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Исследовано влияние технологических параметров на селективное легирование марганцем арсенид-галлиевых гетероструктур, изготавливаемых сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения. В качестве этих параметров использованы: содержание примеси в delta-слое марганца и температура формирования структуры. Установлено, что при температуре выращивания ~ 400oC и содержании примеси не более 0.2-0.3 монослоя изготовленные структуры демонстрируют наибольшую электрическую активность и обладают ферромагнитными свойствами. Изучение выращенных структур методами спектроскопии отражения, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии показало, что применение указанных выше условий при импульсном лазерном нанесении позволяет получать арсенид-галлиевые структуры, которые имеют хорошее кристаллическое качество, а марганец в таких структурах сосредоточен в тонком (7-8 нм) слое без существенного диффузионного размытия и сегрегации. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45092.06
- A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
- О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
- B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, V.V. Podol'skivi, E.S. Demidov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov. J. Optic. Techn., 75, 389 (2008)
- R.T. Blunt. CS MANTECH Conference, Vancouver, British Columbia, Canada, 59 (2006)
- О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 6, 51 (2012)
- F. Lukes, S. Gopalan, M. Cardona. Phys. Rev. B, 47 (12), 7071 (1993)
- T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, X. Liu, K.M. Yu, W. Walukiewicz. Physica E, 25, 171 (2004)
- K.S. Burch, J. Stephens, R.K. Kawakami, D.D. Awschalom, D.N. Basov. Phys. Rev. Lett., 70, 205208 (2004)
- F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. Handbook of Magnetic Materials, 14, 1 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
