Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 11 » Статья стр. 1480
<<<>>>
Неоднородное распределение легирующей примеси в AIIIBV нитевидных нанокристаллах
DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45094.08
Лещенко Е.Д.1,2, Дубровский В.Г.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
PDF версия
Работа посвящена исследованию пространственного распределения концентрации легирующей примеси в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений AIIIBV, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найдена эволюция функции распределения легирующей примеси в результате решения краевой задачи диффузии. Показано, как в рамках построенной модели возникает неоднородность концентрации примеси, наблюдаемая экспериментально при легировании GaAs нитевидных нанокристаллов бериллием и в некоторых других системах материалов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45094.08
  1. S. Gradecak, F. Qian, Y. Li, H.G. Park, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 87, 173111 (2005)
  2. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
  3. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
  4. S. Hirano, N. Takeuchi, S. Shimada, K. Masuya, K. Ibe, H. Tsunakawa, M. Kuwabara. J. Appl. Phys., 98, 094305 (2005)
  5. E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Nat. Acad. Sci. USA, 101, 14017 (2004)
  6. G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, 1890 (2004)
  7. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, C. Thelander, A.I. Persson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 81 (23), 4458 (2002)
  8. F. Matteini, V.G. Dubrovskii, D. Ruffer, G. Tutuncuovglu, Y. Fontana, A. Fontcuberta i Morral. Nanotechnology, 26, 105603 (2015).
  9. J. Vukajlovic-Plestina, V.G. Dubrovskii, G. Tutuncuovglu, H. Potts, R. Ricca, F. Meyer, F. Matteini, J.-B. Leran, A. Fontcuberta i Morral. Nanotechnology, 27, 455601 (2016)
  10. M. Law, L.E. Greene, A. Radenovic, T. Kuykendall, J. Liphardt, P. Yang. J. Phys. Chem. B, 110, 22652 (2006)
  11. G.M. Cohen, M.J. Rooks, J.O. Chu, S.E. Laux, P.M. Solomon, J.A. Ott, R.J. Miller, W. Haensch. Appl. Phys. Lett., 90, 233110 (2007)
  12. S. Arab, M. Yao, C. Zhou, P.D. Dapkus, S.B. Cronin. Appl. Phys. Lett., 108, 182106 (2016)
  13. C. Blomers, T. Grap, M.I. Lepsa, J. Moers, St. Trellenkamp, D. Grutzmacher, H. Luth, Th. Schapers. Appl. Phys. Lett., 101, 152106 (2012)
  14. E. Dimakis, M. Ramsteiner, A. Tahraoui, H. Riechert, L. Geelhaar. Nano Res., 5, 796 (2012)
  15. A. Darbandi, J.C. Mc Neil, A. Akhtari-Zavareh, S.P. Watkins, K.L. Kavanagh. Nano Lett., 16, 3982 (2016)
  16. A.C.E. Chia, N. Dhindsa, J.P. Boulanger, B.A. Wood, S.S. Saini, R.R. La Pierre. J. Appl. Phys., 118, 114306 (2015)
  17. С. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral. Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008)
  18. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11, 1247 (2011)
  19. S. Plissard, K.A. Dick, G. Larrieu, S. Godey, A. Addad, X. Wallart, P. Caroff. Nanotechnology, 21, 385602 (2010)
  20. J.G. Connell, K. Yoon, D.E. Perea, E.J. Schwalbach, P.W. Voorhees, L.J. Lauhon. Nano Lett., 13, 199 (2013)
  21. E. Koren, N. Berkovitch, Y. Rosenwaks. Nano Lett., 10, 1163 (2010)
  22. W. Chen, V.G. Dubrovskii, X. Liu, T. Xu, R. Larde, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stievenard, G. Patriarche, P. Pareige. J. Appl. Phys., 111, 094909 (2012)
  23. V.G. Dubrovskii. Cryst. Growth Des., 15, 5738 (2015)
  24. V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin. Cryst. Growth Des., 16, 7251 (2016)
  25. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme