Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
Малеев Н.А.
1, Беляков В.А.
2, Васильев А.П.
3, Бобров М.А.
1, Блохин С.А.
1, Кулагина М.М.
1, Кузьменков А.Г.
3, Неведомский В.Н.
1, Гусева Ю.А.1, Малеев С.Н.1, Ладенков И.В.2, Фефелова Е.Л.2, Фефелов А.Г.
2, Устинов В.М.
3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ОАО НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2ОАО НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: maleev@beam.ioffe.ru, dragon_bel@mail.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, blokh@mail.ioffe.ru, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, Nevedom@mail.ioffe.ru, guseva.ja@gmail.com, Liricon@gmail.com, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Представлены результаты исследований по оптимизации технологии молекулярно-пучковой эпитаксии структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов. Выбор температуры держателя подложки, скорости роста и соотношения потоков элементов III и V групп при синтезе отдельных областей гетероструктуры, толщина AlAs-вставок и качество границ барьерных слоев являются критическими параметрами для получения оптимальных характеристик гетеробарьерных варакторов. Предложенная конструкция трехбарьерных структур гетеробарьерных варакторов с непосредственно примыкающими к гетеробарьеру InAlAs/AlAs/InAlAs тонкими напряженными слоями InGaAs, рассогласованными относительно постоянной решетки подложки InP, при толщине AlAs-вставок 2.5 нм обеспечивает плотность тока утечки на уровне лучших опубликованных значений для структур гетеробарьерных варакторов с 12 барьерами и толщиной вставок 3 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45095.09
- J.L. Hesler, T. Crowe. SPIE Newsroom. 10.1117/2.1201506.005859 (2015)
- N.R. Erickson. Proc IEEE MTT-S International, 1301 (1990)
- A. Rydberg, H. Gronqvist, E. Kollberg. IEEE Electron Dev. Lett., 11, 373 (1990)
- A. Malko, T. Bryllert, J. Vukusic, J. Stake. 24th Intern. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (Santa Barbara, USA, 2012) p. 92
- Y. Fu, J. Stake, L. Dillner, M. Willander, E.L. Kollberg. J. Appl. Phys., 82, 5568 (1997)
- T.A. Emadi, T. Bryllert, M. Sadeghi, J. Vukusic, J. Stake. Appl. Phys. Lett., 90, 012108 (2007)
- Н.А. Малеев, В.А. Беляков, А.П. Васильев, М.М. Кулагина, А.Г. Кузьменков, Ю.А. Гусева, С.Н. Малеев, Е.В. Никитина, С.А. Блохин, М.А. Бобров, С.В. Оболенский, Е.Л. Фефелова, И.В. Ладенков, А.Г. Фефелов, В.М. Устинов. Электроника и микроэлектроника СВЧ. V Всеросс. конф. (Санкт-Петербург, 2016). Сб. ст., т. 1, с. 68
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
