Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45097.11

Павельев Д.Г.¹, Васильев А.П.², Козлов В.A.^1,3, Оболенская Е.С.¹, Оболенский С.В.¹, Устинов В.М.^2,4

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: vmust@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Ранее для изготовления смесительных диодов нами применялись GaAs/AlAs сверхрешетки с малой площадью активной области (~1 мкм²), и была установлена возможность их эффективного применения в терагерцовом диапазоне частот. Теоретически и экспериментально было показано, что на частотах до 5.3 ТГц малопериодные (содержащие небольшое число периодов) сверхрешетки в составе гармонических смесителей проявляют существенные преимущества по сравнению с многопериодными, т. е. содержащими 50-100 и больше периодов. В данной работе проведена оптимизация конструкции сверхрешеток и показано, что эффективность работы малопериодных сверхрешеток во многом определяется переходными областями, расположенными на ее краях. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45097.11

Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.A. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. Журн. радиоэлектрон., 1, 1 (2016)
Е.С. Оболенская, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1507 (2015)
Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.А. Козлов, Ю.И. Кошуринов, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский, В.М. Устинов. ФТП, 50 (11), 1548 (2016)
Д.Г. Павельев, Н.В. Демарина, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП, 38 (9), 1141 (2004)
S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)
V.A. Kozlov, A.V. Nikolaev, A.V. Samokhvalov. Semicond. Sci. Technol., 19 (4), S99 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель