Вышедшие номера
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Алешкин В.Я.1,2, Байдусь Н.В.1,2, Дубинов А.А.1,2, Кудрявцев К.Е.1,2, Некоркин С.М.2, Новиков А.В.1,2, Рыков А.В.2, Самарцев И.В.2, Фефелов А.Г.3, Юрасов Д.В.1,2, Красильник Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3ОАО НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Созданы InGaAs/GaAs/AlGaAs лазерные диоды с квантовыми ямами, выращенными методом МОГФЭ на неотклоненной Si (001)-подложке с буферным слоем Ge. Диоды генерируют стимулированное излучение в импульсном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.09-1.11 мкм. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45105.19