Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy

DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45167.27

Штром И.В.^1,2, Сибирев Н.В.^3,4, Убыйвовк Е.В.^3,5, Самсоненко Ю.Б.^1,2, Хребтов А.И.¹, Резник Р.Р.^1,2,5, Буравлев А.Д.^1,2, Цырлин Г.Э.^1,2,5

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Институт aналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁵Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: igorstrohm@mail.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45167.27

S. Assali, I. Zardo, S. Plissard, D. Kriegner, M.A. Verheijen, G. Bauer, A. Meijerink, A. Belabbes, F. Bechstedt, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers. Nano Lett., 13, 1559 (2013)
M.E. Reimer, G. Bulgarini, N. Akopian, M. Hocevar, M. Bouwes Bavinck, M.A. Verheijen, E.P.A.M. Bakkers, L.P. Kouwenhoven, V. Zwiller. Nature Commun., 3, 737 (2012)
Г.Э. Цырлин, И.В. Штром, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, И.П. Сошников. ФТП, 50 (11), 1441 (2016)
N. Akopian, G. Patriarche, L. Liu, J.-C. Harmand, V. Zwiller. Nano Lett., 10 (4), 1198 (2010)
F. Glas, J.C. Harmand, J. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146101 (2007)
И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, Н.В. Сибирёв, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, D. Litvinov, D. Gerthsen. Письма ЖТФ, 34 (12), 88 (2008)
V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Rev. B, 78, 235301 (2008)
М.В. Назаренко, Н.В. Сибирёв, В.Г. Дубровский. ЖTФ, 81 (2), 153 (2011)
Н.В. Сибирёв, М.А. Тимофеева, A.Д. Большаков, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. ФТТ, 52 (7), 1428 (2011)
V.G. Dubrovskii, J. Grecenkov. Cryst. Growth Des., 15 (1), 340 (2015)
X. Ren, H. Huang, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, M.V. Nazarenko, A.D. Bolshakov, X. Ye, Q. Wang, Y. Huang, X. Zhang, J. Guo, X. Liu. Semicond. Sci. Technol., 26 (1), 014034 (2011)
S. Lehmann, J. Wallentin, D. Jacobsson, K. Deppert, K.A. Dick. Nano Lett., 13 (9), 4099 (2013)
V.G. Dubrovskii. Appl. Phys. Lett., 104 (5), 53110 (2014)
K.A. Dick, C. Thelander, L. Samuelson, P. Caroff. Nano Lett., 10 (20), 3494 (2010)
J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson. Cryst. Growth Des., 9 (2), 766 (2009)
S. Lehmann, D. Jacobsson, K. Deppert, K. Dick. Nano Res., 5 (7), 470 (2012)
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3, 112 (2009)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11 (3), 1247 (2011)
Н.В. Сибирев, М.В. Назаренко, В.Г. Дубровский. Письма ЖТФ, 38 (5), 41 (2012)
K.A. Dick, Z. Geretovszky, A. Mikkelsen, L.S. Karlsson, E. Lundgren, J.-O. Malm, J.N. Andersen, L. Samuelson, W. Seifert. Nanotechnology, 17 (5), 1344 (2006)
K.A. Dick, K. Deppert, L.S. Karlsson, W. Seifert, L.Reine Wallenberg, L. Samuelson. Nano Lett., 6 (12), 2842 (2006)
S. Assali, J. Greil, I. Zardo, A. Belabbes, M.W.A. de Moor, S. Koelling, P.M. Koenraad, F. Bechstedt, E.P.A.M. Bakkers, J.E.M. Haverkort. J. Appl. Phys., 120, 044304 (2016)
P.J. Dean. Prog. Solid State Chem., 8, 1 (1973)
P.J. Dean. Phys. Rev., 157, 655 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель