Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 12 » Статья стр. 1697
<<<>>>
Ширина линии излучения и alpha-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs *
DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45188.8657
Блохин С.А. 1, Бобров М.А. 1, Блохин А.А. 1, Кузьменков А.Г. 2,1, Васильев А.П. 2,1, Задиранов Ю.М. 1, Европейцев Е.А.1, Сахаров А.В. 1, Леденцов Н.Н. 3, Карачинский Л.Я. 4,1, Оспенников А.М.5, Малеев Н.А. 1, Устинов В.М. 2,1,6
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3VI Systems GmbH, Berlin, Germany
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5АО "РИРВ", Санкт-Петербург, Россия
6Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: blokh@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, bloalex91@yandex.ru, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, zadiranov@mail.ioffe.ru, john_fzf@mail.ru, val.beam@mail.ioffe.ru, nikolay.ledentsov@v-i-systems.com, Leonid.Karachinsky@connector-optics.com, Maleev@beam.ioffe.rssi.ru, vmust.beam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.
PDF версия
Проведены исследования ширины линии излучения одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs. Ширина линии излучения лазера с характерным размером оксидной токовой апертуры 2 мкм достигает своего минимума ~110 МГц при выходной мощности 0.8 мВт. При дальнейшем повышении выходной оптической мощности наблюдается аномальное уширение линии излучения, что, по-видимому, обусловлено ростом alpha-фактора вследствие падения дифференциального усиления активной области в условиях повышенной концентрации носителей и высоких внутренних оптических потерь в микрорезонаторе. Проведена оценка величины alpha-фактора двумя независимыми методами. DOI: 10.21883/FTP.2017.12.45188.8657
  1. R. Michalzik. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Berlin, Springer-Verlag, 2013)
  2. P. Moser, P. Wolf, G. Larisch, H. Li, J.A. Lott, D. Bimberg. Proc. SPIE, 9001, 900103 (2014)
  3. E. Haglund, P. Westbergh, J.S. Gustavsson, E.P. Haglund, A. Larsson, M. Geen, A. Joel. Electron. Lett., 51 (14), 1096 (2015)
  4. P.D.D. Schwindt, B. Lindseth, S. Knappe, V. Shah. J. Kitching, L.-A. Liew. Appl. Phys. Lett., 90, 081102 (2007)
  5. M. Prouty, A. Miniature. Wide Band Atomic Magnetometer, SERDP Project MR-1568, Geometrics (2011)
  6. A. Pruijmboom, M. Schemmann, J. Hellmig, J. Schutte, H. Moench, J. Pankert. Proc. SPIE, 6908, 69080I (2008)
  7. L. Knappe, V. Shah, P.D.D. Schwindt, L. Hollberg, J. Kitching, L.A. Liew, J. Moreland. Appl. Phys. Lett., 85, 1460 (2004)
  8. D.K. Serkland, K.M. Geib, G.M. Peake, R. Lutwak, A. Rashed, M. Varghese, G. Tepolt, M. Prouty. Proc. SPIE, 6484, 648406 (2007)
  9. D.K. Serkland, G.A. Keeler, K.M. Geib, G.M. Peake. Proc. SPIE, 7229, 722907 (2009)
  10. S.B. Healy, E.P. O'Reilly, J.S. Gustavsson, P. Westbergh, Е. Haglund, A. Larsson, A. Joel. IEEE J. Quant. Electron., 46, 506 (2010)
  11. M.A. Bobrov, S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.A. Blokhin, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. J. Phys.: Conf. Ser., 643, 012044 (2015)
  12. K.D. Choquette, K.M. Geib, C.I.H. Ashby, R.D. Twesten, O. Blum, H.Q. Hou, D.M. Follstaedt, B.E. Hammons, D. Mathes, R. Hull. IEEE J. Select. Topics in Quant. Electron., 3, 916 (1997)
  13. M.P. van Exter, A.K. Jansen van Doorn, J.P. Woerdman. Phys. Rev. A, 56, 845 (1997)
  14. F. Monti di Sopra, M. Brunner, R. Hovel. Photon. Technol. Lett., 14, 1034 (2002)
  15. A.L. Schawlow, C.H. Townes. Phys. Rev., 112, 1940 (1958)
  16. C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18, 259 (1982)
  17. K. Petermann. Laser diode modulation and noise (Kluwer Academic, 1991)
  18. N.N. Ledentsov, J.A. Lott, J.-R. Kropp, V.A. Shchukin, D. Bimberg, P. Moser, G. Fiol, A.S. Payusov, D. Molin, G. Kuyt, A. Amezcua, L.Y. Karachinskiy, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Maleev, C. Caspar, R. Freund. Proc. SPIE, 8276, 82760K (2012)
  19. D. Kuksenkov, S. Feld, C. Wilmsen, H. Temkin, S. Swirhun, R. Leibenguth. Appl. Phys. Lett., 66, 277 (1995)
  20. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Masanovic. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (N. Y., Wiley, 2012)
  21. G.M. Yang, M.H. Mac Dugal, V. Pudikov, P.D. Dapkus. Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995)
  22. D. Summers, P. Dowd, I.H. White, M.R.T. Tan. Photon. Technol. Lett., 7, 736 (1995)
  23. A. Bacou, A. Rissons, J.-C. Mollier. Proc. SPIE, 6908, 69080F (2008)
  24. KU. Kruger, K. Petermann. IEEE J. Quant. Electron., 24, 2355 (1988)
  25. H. Halbritter, R. Shau, F. Riemenschneider, B. Kogel, M. Ortsiefer, J. Rosskopf, G. Bohm, M. Maute, M.-C. Amann, P. Meissner. Electron. Lett., 40, 1266 (2004)
  26. K. Kishino, S. Aoki, Y. Suematsu. J. Quant. Electron., QE-18, 343 (1982)
  27. K. Stubkjaer, Y. Suematsu, M. Asada, S. Arai, A.R. Adams. Electron. Lett., 16, 895 (1980)
  28. M.H. Moloney, J. Hegarty, L. Buydens, P. Demeester, R. Grey, J. Woodhead. Appl. Phys. Lett., 62, 3327 (1993)
  29. A.P. Ongstad, D.J. Gallant, G.C. Dente. Appl. Phys. Lett., 66, 2730 (1995)
  30. M. Usami, H. Sakata, Y. Matsushima. Proc. 19th Intern. Symp. Gallium Arsenide and Related Compounds (1992) p. 803
  31. C. H. Wu, F. Tan, M. Feng, N. Holonyak, jr. Appl. Phys. Lett., 97, 091103 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme