Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрически активные состояния захвата и переноса заряда, обусловливающие медленную рекомбинацию в кристаллах бромида таллия при низких температурах

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45439.8672

Переводная версия: 10.1134/S1063782618020057

Кажукаускас В.¹, Гарбачаускас Р.¹, Савицки С.¹

¹Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных исследований, Вильнюсский университет, Вильнюс, Литва Vilnius University, Vilnius, Lithuania

Email: vaidotas.kazukauskas@ff.vu.lt

Поступила в редакцию: 28 июня 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Исследовались образцы монокристаллов TlBr, выращенных по методу Бриджмена-Стокбаргера. Установлено, что при межзонном возбуждении светом при температурах ниже 200 K проявляются эффекты замороженной проводимости. При этом выявляются ярко выраженные сверхлинейные зависимости индуцированной (фото-) проводимости от напряженности приложенного электрического поля. Как свидетельствуют результаты исследования термостимулированной проводимости, эти явления могут быть связаны с заполнением ловушечных состояний с энергиями термической активации 0.08-0.12 эВ. Это состояние может быть снято в результате термического гашения при температурах >~=180 K из-за опустошения заполненных после оптической генерации энергетических состояний с энергией активации 0.63-0.65 эВ. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45439.8672

P.J. Sellin. Nucl. Instrum. Meth. A, 513, 332 (2003)
K. Hitomi, M. Matsumoto, O. Muroi, T. Shoji, Y. Hiratate. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2526 (2002)
K. Hitomi, M. Matsumoto, O. Muroi, T. Shoji, Y. Hiratate. J. Cryst. Growth, 225, 129 (2001)
K. Hitomi, T. Onodera, T. Shoji, Y. Hiratate, Z. He. IEEE Trans. Nucl. Sci., 55, 1781 (2008)
R.A. dos Santos, C.H. de Mesquita, J.B.R. da Silva, C. de Melo Ferraz, F.E. da Costa, J.F.T. Martins, R.F. Gennari, M.M. Hamada. Adv. Mater. Sci. Eng., 2017, 1750517 (2017)
T. Onodera, K. Hitomi, T. Shoji. Nucl. Instrum. Meth. A, 568, 433 (2006)
K. Hitomi, T. Shoji, K. Ishii. J. Cryst. Growth, 379, 93 (2013)
K.H. Kim, E. Kim, H. Kim, R. Tappero, A.E. Bolotnikov, G.S. Camarda, A. Hossain, L. Cirignano, R.B. James. J. Appl. Phys., 114, 133701 (2013)
S.R. Bishop, H.L. Tuller, M. Kuhn, G. Ciampi, W. Higgins, K.S. Shah. Phys. Chem. Chem. Phys., 15, 11926 (2013)
S.R. Bishop, W. Higgins, G. Ciampi, A. Churilov, K.S. Shah, H.L. Tuller. J. Electrochem. Soc., 158, J47 (2011)
J. Vaitkus, V. Kavzukauskas, R. Kiliulis, J. Storasta. Inst. Phys. Conf. Ser., 136, 755 (1994)
R. Kiliulis, V. Kavzukauskas, J. Storasta, J.-V. Vaitkus. J. de Physique I, 6, 1165 (1996)
V. Kavzukauskas, A. Ziminskij, J.V. Vaitkus, V. Gostilo, M. Shorohov. Nucl. Instrum. Meth. A, 607, 123 (2009)
G. Lucovsky. Solid State Commun., 3, 299 (1965)
G. Kavaliauskiene, V. Kavzukauskas, V. Rinkevivcius, J. Storasta, J.V. Vaitkus, R. Bates, V. O'Shea, K.M. Smith. Appl. Phys. A. Mater. Sci. Proc., 69, 415 (1999)
J.G. Simmons, G.W. Taylor. Phys. Rev. B, 5, 1619 (1972)
V. Kavzukauskas, A. Jurgilaitis, J.-V. Vaitkus. Proc. SPIE, 6596, C5960 (2007)
L. Grigorjeva, D. Millers. Nucl. Instrum. Meth. B, 191, 131 (2002)
L. Grigorjeva, D. Millers. Electrochem. Soc. Proc., 98, 438 (1998)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976). M.K. Sheinkman, A.Y. Shik. Sov. Phys. Semicond., 10, 128 (1976)
V. Kavzukauskas. J. Appl. Phys., 84, 2053 (1998)
V. Kavzukauskas, J. Vaitkus. Z. Phys. B. Condens. Matter, 94, 401 (1994)
J. Vaitkus, R. Baubinas, E. Gaubas, K. Jaravsi\=unas, R. Javsinskaite, V. Kavzukauskas, E. Kuprusevivcius, J. Matukas, V. Palenskis, J. Storasta, M. S\=udvzius, R. Tomavsi\=unas. Nucl. Instrum. Meth. A, 466, 39 (2001)
J. Vaitkus, J. Banys, V. Gostilo, S. Zatoloka, A. Mekys, J. Storasta, A. vZindulis. Nucl. Instrum. Meth. A, 546, 188 (2005)
R.H. Bube. Photoconductivity of Solids (N.Y., John Wiley and Sons, Inc., 1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель