Вышедшие номера
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020112
Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1,2, Зегря А.Г.1, Бугров В.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavlovnv@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

В рамках четырехзонной модели Кейна выполнен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-отщепленную зону для квантовых ям на основе полупроводников InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP. Расчет проведен для двух поляризаций падающего излучения: вдоль оси роста кристалла и в плоскости квантовой ямы. Показано, что поглощение с переходом в дискретный спектр спин-отщепленных дырок имеет большую интенсивность, чем для переходов в непрерывный спектр. Проведен подробный анализ зависимости коэффициента внутризонного поглощения от температуры, концентрации дырок и ширины квантовой ямы. Показано, что данный процесс может быть основным механизмом внутренних потерь излучения для лазеров на квантовых ямах. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45445.8645