Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 2 » Статья стр. 207
<<<>>>
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45445.8645
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020112
Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1,2, Зегря А.Г.1, Бугров В.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavlovnv@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
В рамках четырехзонной модели Кейна выполнен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-отщепленную зону для квантовых ям на основе полупроводников InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP. Расчет проведен для двух поляризаций падающего излучения: вдоль оси роста кристалла и в плоскости квантовой ямы. Показано, что поглощение с переходом в дискретный спектр спин-отщепленных дырок имеет большую интенсивность, чем для переходов в непрерывный спектр. Проведен подробный анализ зависимости коэффициента внутризонного поглощения от температуры, концентрации дырок и ширины квантовой ямы. Показано, что данный процесс может быть основным механизмом внутренних потерь излучения для лазеров на квантовых ямах. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45445.8645
  1. G.Р. Agrawal, N.K. Dutta. Long Wavelength Semiconductor Lasers (Vаn Nostrand Reinhold Co., N.Y., 1993)
  2. P.S. Zory. Quantum Well Lasers (Academic Press, 1993)
  3. E. Rosencher, B. Levine. Intersubband Transitions in Quantum Wells (Plenum, N.Y., 1992)
  4. А.Я. Шик. ФТП, 22 (10), 1843 (1988)
  5. W.J. Zawadski. J. Phys. С, 16, 229 (1983)
  6. А.Г. Петров, А.Я. Шик. ФТП, 28 (12), 2185 (1994)
  7. J.R. Hoff, M. Razeghi, G.J. Brown. Phys. Rev. B, 54 (15), 10733 (1996)
  8. F. Szmulowicz, G.J. Brown. Phys. Rev. B, 51 (19), 13203 (1995)
  9. Е.О. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
  10. N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84 (1), 547 (1998)
  11. G.G. Zegrya. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997) p. 273
  12. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 573 (2007)
  13. Н.В. Павлов, Г.Г. Зегря. ФТП, 48 (9), 1217 (2014)
  14. Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (8), 1001 (2000)
  15. Р.А. Сурис. ФТП, 20 (11), 2008 (1986)
  16. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
  17. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58 (7), 4039 (1998)
  18. M.G. Burt. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 6651 (1992)
  19. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (Наука, М., 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme