Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020112 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavlovnv@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
В рамках четырехзонной модели Кейна выполнен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-отщепленную зону для квантовых ям на основе полупроводников InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP. Расчет проведен для двух поляризаций падающего излучения: вдоль оси роста кристалла и в плоскости квантовой ямы. Показано, что поглощение с переходом в дискретный спектр спин-отщепленных дырок имеет большую интенсивность, чем для переходов в непрерывный спектр. Проведен подробный анализ зависимости коэффициента внутризонного поглощения от температуры, концентрации дырок и ширины квантовой ямы. Показано, что данный процесс может быть основным механизмом внутренних потерь излучения для лазеров на квантовых ямах. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45445.8645
- G.Р. Agrawal, N.K. Dutta. Long Wavelength Semiconductor Lasers (Vаn Nostrand Reinhold Co., N.Y., 1993)
- P.S. Zory. Quantum Well Lasers (Academic Press, 1993)
- E. Rosencher, B. Levine. Intersubband Transitions in Quantum Wells (Plenum, N.Y., 1992)
- А.Я. Шик. ФТП, 22 (10), 1843 (1988)
- W.J. Zawadski. J. Phys. С, 16, 229 (1983)
- А.Г. Петров, А.Я. Шик. ФТП, 28 (12), 2185 (1994)
- J.R. Hoff, M. Razeghi, G.J. Brown. Phys. Rev. B, 54 (15), 10733 (1996)
- F. Szmulowicz, G.J. Brown. Phys. Rev. B, 51 (19), 13203 (1995)
- Е.О. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
- N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84 (1), 547 (1998)
- G.G. Zegrya. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997) p. 273
- Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 573 (2007)
- Н.В. Павлов, Г.Г. Зегря. ФТП, 48 (9), 1217 (2014)
- Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35 (8), 1001 (2000)
- Р.А. Сурис. ФТП, 20 (11), 2008 (1986)
- Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998)
- A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58 (7), 4039 (1998)
- M.G. Burt. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 6651 (1992)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (Наука, М., 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
