Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/ GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
Переводная версия: 10.1134/S106378261802015X 
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 
2Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия
2Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
Исследовано влияние концентрации delta-легирования кремнием на электронные транспортные свойства псевдоморфных квантовых ям Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As/GaAs в широком интервале температур 4.2-300 K. Обнаружено снижение эффективности легирования при концентрации электронов >1.8·1012 см-2, обусловленное эффектами неполной ионизации примеси, что отражается также на температурной зависимости концентрации электронов. Наблюдается немонотонное изменение подвижности электронов с ростом концентрации доноров, не связанное с заполнением верхней подзоны размерного квантования. Возрастание подвижности связано с ростом импульса Ферми и экранированием, а последующий еe спад при увеличении концентрации кремния обусловлен туннельной деградацией спейсерного слоя при понижении потенциала зоны проводимости в области delta-слоя Si. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45444.8621
- M. Van Der Burgt, V.C. Karavolas, F.M. Peeters, J. Singleton, R.J. Nicholas, F. Herlach, J.J. Harris, M. Van Hove, G. Borghs. Phys. Rev. B, 52, 12218 (1995)
- H. Ohno, J.K. Luo, K. Matsuzaki, H. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 54, 36 (1989)
- M.G. Greally, M. Hayne, A. Usher, G. Hill, M. Hopkinson. J. Appl. Phys., 79, 8465 (1996)
- Y. Cordier, P. Lorenzini, J.-M. Chauveau, D. Ferre, Y. Androussi, J. Dipersio, D. Vignaud, J.-L. Codron. J. Cryst. Growth, 251, 822 (2003)
- E. Litwin-Staszewska, T. Suski, C. Skierbiszewski, F. Kobbi, J.L. Robert, V. Mosser. J. Appl. Phys., 77, 405 (1995)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
- Adam Babinski, J. Siwiec-Matuszyk, J.M. Baranowski, G. Li, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 77, 999 (2000)
- A. Zrenner, F. Koch, R.L. Williams, R.A. Stradling, K. Ploog, G. Weimann. Semicond. Sci. Technol., 3, 1203 (1988)
- E.A.B. Cole, T. Boettcher, C.M. Snowden. Semicond. Sci. Technol., 12, 100 (1997)
- W. Walukiewicz, H.E. Ruda, J.I. Agowski, H.C. Gatos. Phys. Rev. B, 30 (8), 4571 (1984)
- А.Н. Виниченко, В.П. Гладков, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов, И.С. Васильевский. ФТП, 48 (12), 1660 (2014)
- M.K. Mahata, S. Ghosh, S. Jana, P. Mukhopadhyay, A. Bag, S.M. Dinara, R. Kumar, S. Das. Proc. 2014 IEEE TechSym, p. 390
- V.V. Vainberg, A.S. Pylypchuk, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 16 (2), 152 (2013)
- C. Kadow, H.-K. Lin, M. Dahlstrom, M. Rodwell, A.C. Gossard, B. Brar, G. Sullivan. J. Cryst. Growth, 251, 543 (2003)
- D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev. Solid-State Electron., 129, 66 (2017)
- T. Ishikawa, J. Saito, S. Sasa, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (11), L675 (1982)
- E.F. Schubert, K. Ploog. Phys. Rev. B, 30 (12), 7021 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
