Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Расширенная модель Холстейна-Хаббарда для эпитаксиального графена на металле

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45449.8581

Переводная версия: 10.1134/S1063782618020033

Давыдов С.Ю.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: Sergei_Davydov@mail.ru

Поступила в редакцию: 15 марта 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Предложена модель, объединяющая расширенную модель Хаббарда, включающую внутриатомное и межатомное кулоновское отталкивание, и модель Холстейна, описывающую взаимодействие зонного электрона с эйнштейновским фононом. Рассмотрены три области фазовой диаграммы: волны спиновой и зарядовой плотностей и однородное по спину и заряду состояние. Численные оценки для подложек Rh, Ir и Pt показывают, что кулоновское взаимодействие играет ведущую роль, создавая возможность переходов из однородного состояния в состояния волн спиновой и зарядовой плотности состояний. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45449.8581

T. Holstein. Ann. Phys., 8, 325 (1959)
J. Hubbard. Proc. Royal Soc. (London), A 276, 238 (1963)
M. Hohenadler, W. von der Linden. Phys. Rev. B, 71, 184309 (2005)
M. Berciu. Phys. Rev. B, 75, 081101R (2007)
R.P. Hardikar, R.T. Clay. Phys. Rev. B, 75, 245103 (2007)
S. Kumar, J. van den Brink. Phys. Rev. B, 78, 155123 (2008)
Y. Murakami, P. Werner, N. Tsuji, H. Aoki. Phys. Rev. B, 88, 125126 (2013)
M. Chakraborty, M. Tezuka, B.I. Min. Phys. Rev. B, 89, 035146 (2014)
P. Werner, M. Eckstein. Europhys. Lett., 109, 37002 (2015)
S. Pradhan, G.V. Pai. Phys. Rev. B, 92, 165124 (2015)
I.V. Sankar, A. Chatterjee. Physica B, 489, 17 (2016)
T. Miyao. arXive:1402.5202; 1610.09039
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 59, 8 (2017)
С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов. (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 55, 197 (2013)
T.O. Wehling, E. Sasioglu, C. Friedrich, A.I. Lichtenstein, M.I. Katsnelson, S. Blugel. Phys. Rev. Lett., 106, 236805 (2011)
С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Учеб. пособие. (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007). twirpx.com/file/1014608/
J.-C. Charlier, P.C. Eklund, J. Zhu, A.C. Ferrari. Electron and Phonon Properties of Graphene: Their Relationship with Carbon Nanotubes. In: A. Jorio, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus (eds): Carbon Nanotubes. Topics Appl. Physics, 111, 673 (2008). (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2008)
K. Ishikawa, T. Ando. J. Phys. Soc. (Japan), 75, 084713 (2006)
С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 57, 819 (2015)
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 74, 205101 (2006)
Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
W.A. Harrison, G.K. Straub. Phys. Rev. B, 36, 2695 (1987)
С.Ю. Давыдов. ФТТ, 59, 610 (2017)
H. Zi-Pu, D.F. Ogletree, M.A. Van Hove, G.A. Somorjai. Surf. Sci., 180, 433 (1987)
A.T. N'Diaye, S. Bleikamp, P.J. Feibelman, T. Michely. Phys. Rev. Lett., 97, 215501 (2006). Erratum: Phys. Rev. Lett., 101, 219904 (2008)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. (М., Наука, 1978)
В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (Екатеринбург, УрО РАН, 2004)
A.B. Preobrajenski, M.L. Ng, A.S. Vinogradov, N. M rtensson. Phys. Rev. B, 78, 073401 (2008)
I. Pletikosic, M. Kralj, P. Pervan, R. Brako, J. Coraux, A.T. N'Diaye, C. Busse, T. Michely. Phys. Rev. Lett., 102, 056808 (2009)
R. Larciprete, S. Ulstrup, P. Lacovig, M. Dalmiglio, M. Bianchi, F. Mazzola, L. Hornek r, F. Orlando, A. Baraldi, P. Hofmann, S. Lizzit. ASC Nano, 6, 9551 (2012)
S. Ulstrup, M. Bianchi, R. Hatch, D. Guan, A. Baraldi, D. Alfe, L. Hornek r, P. Hofmann. Phys. Rev. B, 86, 161402(R) (2012). Erratum: Phys. Rev. B, 93, 239901(E) (2016)
M. Kralj, I. Pletikosic, M. Petrovic, P. Pervan, M. Milun, A.T. N'Diaye, C. Busse, T. Michely, J. Fujii, I. Vobornik. Phys. Rev. B, 84, 075427 (2011)
Ph. Hofmann, I.Yu. Sklyadneva, E.D.L. Rienks, E.V. Chulkov. New J. Phys., 11, 125005 (2009)
J.C. Johannsen, S. Ulstrup, M. Bianchi, R. Hatch, D. Guan, F. Mazzola, L. Hornek r, F. Fromm, C. Raidel, T. Seyller, P. Hofmann. J. Phys.: Condens. Matter, 25, 094001 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель