Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020082 
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00417-а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00147-а
Мирошников Б.Н.1,2, Мирошникова И.Н.
1,2, Попов А.И.
1,2
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия 
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: MiroshnikovBN@mpei.ru, MiroshnikovaIN@mpei.ru, PopovAI@mpei.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
Представлены результаты исследования фоточувствительных элементов на основе поликристаллических слоев сульфида свинца. Они позволили рассмотреть влияние гетерогенных реакций на границах кристаллит-окружающая среда на характеристики фоточувствительного элемента. Показано, что путем термообработки в вакууме можно существенно изменить параметры уже сформированных структур, оптимизируя их применительно к конкретным оптико-электронным системам. Предложена модель, объясняющая природу явлений. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45450.8639
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
- T.S. Moss. Proc. Phys. Soc. В, 66 (12), 993 (1953)
- Н.С. Барышев, И.С. Аверьянов. ФТТ, 4 (6), 1525 (1962)
- Н.С. Барышев. Свойства и применение узкозонных полупроводников (Казань, УНИПРЕСС, 2000)
- R.L. Petritz. Phys. Rev., 104 (6), 1508 (1956)
- В.Г. Буткевич, Е.Р. Глобус, Л.Н. Залевская. Прикл. физика, N 2, 52 (1999)
- С.М. Рывкин. ЖТФ, 22 (12), 1930 (1952)
- Б.Т. Коломиец. Изв. АН СССР. Сер. физ., 16 (1), 70 (1952)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- Б.Н. Мирошников, И.Н. Мирошникова, Х.С.Х. Мохамед, А.И. Попов. Измерительная техника, N 2, 37 (2015)
- H.S.H. Mohamed, M. Abdel-Hafiez, B.N. Miroshnikov, A.D. Barinov, I.N. Miroshnikova. J. Mater. Sci. Semicond. Processing, 27, 725 (2014).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
