Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS

DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45450.8639

Переводная версия: 10.1134/S1063782618020082

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00417-а

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00147-а

Мирошников Б.Н.^1,2, Мирошникова И.Н.

^1,2, Попов А.И.

^1,2

¹Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия National Research University “Moscow Power Engineering Institute”, Moscow, Russia

National Research University “Moscow Power Engineering Institute”, Moscow, Russia

²Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: MiroshnikovBN@mpei.ru, MiroshnikovaIN@mpei.ru, PopovAI@mpei.ru

Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.

Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

PDF версия

Представлены результаты исследования фоточувствительных элементов на основе поликристаллических слоев сульфида свинца. Они позволили рассмотреть влияние гетерогенных реакций на границах кристаллит-окружающая среда на характеристики фоточувствительного элемента. Показано, что путем термообработки в вакууме можно существенно изменить параметры уже сформированных структур, оптимизируя их применительно к конкретным оптико-электронным системам. Предложена модель, объясняющая природу явлений. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45450.8639

Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
T.S. Moss. Proc. Phys. Soc. В, 66 (12), 993 (1953)
Н.С. Барышев, И.С. Аверьянов. ФТТ, 4 (6), 1525 (1962)
Н.С. Барышев. Свойства и применение узкозонных полупроводников (Казань, УНИПРЕСС, 2000)
R.L. Petritz. Phys. Rev., 104 (6), 1508 (1956)
В.Г. Буткевич, Е.Р. Глобус, Л.Н. Залевская. Прикл. физика, N 2, 52 (1999)
С.М. Рывкин. ЖТФ, 22 (12), 1930 (1952)
Б.Т. Коломиец. Изв. АН СССР. Сер. физ., 16 (1), 70 (1952)
А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
Б.Н. Мирошников, И.Н. Мирошникова, Х.С.Х. Мохамед, А.И. Попов. Измерительная техника, N 2, 37 (2015)
H.S.H. Mohamed, M. Abdel-Hafiez, B.N. Miroshnikov, A.D. Barinov, I.N. Miroshnikova. J. Mater. Sci. Semicond. Processing, 27, 725 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель