Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
Переводная версия: 10.1134/S106378261803017X 
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00417-а
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия 
2Институт нанотехнологии микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт нанотехнологии микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: MorozovaNK@mail.ru, MiroshnikovBN@mpei.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Влияние кислорода на электрические свойства PbS широко известно. Целью данной работы было сопоставление и обнаружение этого явления в монокристаллах CdS(О), детально исследованных нами ранее. Эксперименты проведены на монокристаллах CdS с известной концентрацией кислорода, отклонением от стехиометрии и определенным набором собственных точечных дефектов. Они позволили подтвердить результаты, описанные для PbS, и выяснить их природу. Показано, что в основе явления лежит захват свободных носителей - электронов на акцептороподобных изоэлектронных центрах OS с последующим образованием ассоциатов сложной структуры. Подтверждены предшествующие выводы о механизме растворения кислорода в CdS с отклонениями от стехиометрии. Изменения электрических свойств в активированном кислородом PbS(О), как и в CdS(О), показали, что изоэлектронные кислородные центры OS присутствуют в сульфиде свинца. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45611.8493
- Н.К. Морозова, А.А. Канахин, И.Н. Мирошникова. Матер. докл. 46-го Междунар. науч.-техн. сем. "Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2016) с. 72
- N.K. Morozova, A.A. Kanakhin. Semiconductors, 50, 849 (2016)
- Н.Д. Данилевич. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2011)
- N.K. Morozova, D.A. Mideros, N.D. Danilevich. Oxygen in Optics of II-VI Compounds in the Light of the Theory of Anticrossing Zones (LAP, Saarbrucken, Germany, 2013) [in Russian]
- А.А. Канахин. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2015)
- H.P. Hjalmarson, P. Vogl, D.J. Wolford, J.D. Dow. Phys. Rev. Lett., 44 (12), 810 (1980)
- Б.Н. Мирошников. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2016)
- T.H. Johnson. J. Proc. SPIE, 443, (1984), 60-9
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, Н.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца (М., Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1968)
- В.А. Теплицкий. Автореф. канд. дис. (М., МИЭТ, 1989)
- Physics and Chemistry of II-VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North\_Holland, Amsterdam, 1967; Mir, Moscow, 1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
