Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45623.8587

Переводная версия: 10.1134/S106378261803003X

Алтухов В.И.¹, Санкин А.В.¹, Сигов А.С.², Сысоев Д.К.¹, Янукян Э.Г.¹, Филиппова С.В.³

¹Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия North-Caucasian Federal University, Stavropol, Russia

²Московский институт радиоэлектроники и автоматики, Москва, Россия Moscow Institute of Radioelectronics and Automation, Moscow, Russia

³Пятигорский медико-фармацевтический институт, Пятигорск, Россия Pyatigorsk Medical and Pharmaceutical Institute, Pyatigorsk, Russia

Email: altukhov@mail.ru

Поступила в редакцию: 10 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена модифицированная нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки, содержащая локальный квазиуровень Ферми на границе раздела, обусловленного избыточным поверхностным зарядом. Такой подход позволяет объяснить наблюдающееся подобие вольт-амперная характеристика диодов c барьером Шоттки M/(SiC)_1-x(AlN)_x и гетеропереходов на основе SiC и его твердых растворов с учетом Phi_g~Phi_B. Результаты расчетов высоты барьеров Шоттки согласуются с данными опытов, полученными по фототоку для металлов (M): Al, Ti, Cr, Ni. Вольт-амперные характеристики в составной - аддитивной модели токопереноса согласуются с данными экспериментов для систем n-M/p-(SiC)_1-x(AlN)_x и n-6H-SiC/p-(SiC)_0.85(AlN)_0.15. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45623.8587

С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов. ФТП, 31, 597 (1997)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
А.И. Лебедев. Физика полупроводниковых приборов (М., Физматлит, 2008)
Н.П. Исмаилова, Н.В. Офицерова, Г.К Сафаралиев. Мониторинг. Наука и технологии, 1, 117 (2009)
Г.К. Сафаралиев. Твердые растворы на основе карбида кремния (М., Физматлит, 2011)
В.И. Алтухов, А.В. Санкин, М.Н. Дядюк, К.С. Касьяненко, О.А. Митюгова, С.В. Филипова. Обозрение прикладной и промышленной математики, 19 (3), 423 (2012)
В.И. Алтухов, И.С. Касьяненко, А.В. Санкин, Б.А. Билалов, А.С. Сигов. ФТП, 50 (9), 1190 (2015)
Г.К. Сафаралиев, Н.К. Каргин, М.К. Курбанов, Б.А.Билалов, Ш.М. Рамазанов, А.С. Гусев. Вест. Нац. исслед. ядерного ун-та "МИФИ", 3 (1), 63 (2014)
Ф.Е. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель