Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46151.8841

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090191

Смагина Ж.В.¹, Зиновьев В.А.¹, Кривякин Г.К.^1,2, Родякина Е.Е.^1,2, Кучинская П.А.¹, Фомин Б.И.¹, Яблонский А.Н.³, Степихова М.В.³, Новиков А.В.³, Двуреченский А.В.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: smagina@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 8 февраля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработан метод создания Ge/Si-структур с пространственно упорядоченными наноостровками при гетероэпитаксии на структурированных подложках Si(001) с квадратной решеткой ямок травления. Исследовано влияние глубины и периода расположения затравочных областей (ямок травления) на зарождение и рост Ge(Si)-наноостровков. Показано, что при изменении глубины ямок формируются как отдельные наноостровки внутри ямок, так и упорядоченные группы островков по их периметру. Обнаружено, что размеры наноостровков, формирующихся внутри ямок, увеличиваются с ростом расстояния между ямками от 1 до 4 мкм. Ярко выраженный сигнал фотолюминесценции от структур с пространственно упорядоченными квантовыми точками с периодом 1 мкм и больше наблюдается в диапазоне энергий 0.9-1.0 эВ.

D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H.H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7 (10), 3150 (2007)
Zh. Zhong, A. Halilovic, M. Muhlberger, F. Schafler, G. Bauer. App. Phys. Lett., 87 (10), 6258 (2003)
Zh. Zhong, O.G. Schmidt, G. Bauer. App. Phys. Lett., 87, 133111 (2005)
Zh.V. Smagina, N.P. Stepina, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, P.A. Kuchinskaya, A.V. Dvurechenskii. App. Phys. Lett., 105, 153106 (2014)
А.В. Цуканов. Микроэлектроника, 42 (6), 403 (2013)
M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, T. Fromherz, F. Schaffler. ACS Photonics, 4 (3), 665 (2017)
S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Rep. Progr. Phys., 72, 046502 (2009)
M. Grydlik, M. Brehm, T. Tayagaki, G. Langer, O.G. Schmidt, F. Schaffler. Appl. Phys. Lett., 106, 251904 (2015)
A. Pascale, I. Berbezier, A. Ronda, P.C. Kelires. Phys. Rev. B, 77, 075311 (2008)
Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, В.А. Селезнев, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, В.А. Зиновьев, Н.П. Степина, А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.К. Гутаковский. ФТП, 49, 767 (2015)
G. Hubbard, S.J. Abbott, Q. Chen, D.W.E. Allsopp, W.N. Wang, C.R. Bowen, R. Stevens, A. vSatka, D. Havsko, F. Uherek, J. Kovavc. Physica E, 41, 1118 (2009)
P. Chen, Y. Fan, Zh. Zhong. Nanotechnology, 20, 095303 (2009)
J.A. Floro. Appl. Phys. Lett., 109, 193112 (2016)
G. Vastola, M. Grydlik, M. Brehm, T. Fromherz, G. Bauer, F. Boioli, L. Miglio, F. Montalenti. Phys. Rev. B, 84, 155415 (2011)
Y.J. Ma, C. Zeng, T. Zhou, S.F. Huang, Y.L. Fan, Z. Zhong, X.J. Yang, J.S. Xia, Z.M. Jiang. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 485303 (2014)
O. Kienzle, F. Ernst, M. Ruhle, O.G. Schmidt, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 269 (1999)
В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, С.А. Тийс, А.А. Шкляев, А.В. Мудрый. ФТП, 49 (2), 155 (2015)
Zh. Zhong, W. Schwinger, F. Schaffler, G. Bauer, G. Vastola, F. Montalenti, L. Miglio. Phys. Rev. Lett., 98, 176102 (2007)
В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма ЖЭТФ, 67 (1), 46 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель