Вышедшие номера
Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090075
Министерство образования и науки РФ , Соглашение № 14.578.21.0253, RFMEFI57817X0253
Колодезный Е.С.1, Курочкин А.С.1, Рочас С.С.1, Бабичев А.В.1, Новиков И.И.1, Гладышев А.Г.1, Карачинский Л.Я.2, Савельев А.В.1,3, Егоров А.Ю.1, Денисов Д.В.2,4
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: anton@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In0.74Ga0.26As и delta-легированных барьеров In0.53Al0.20Ga0.27As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью p-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1-2)·1012 см-2 приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации.