Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46152.8865

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090075

Министерство образования и науки РФ , Соглашение № 14.578.21.0253, RFMEFI57817X0253

Колодезный Е.С.¹, Курочкин А.С.¹, Рочас С.С.¹, Бабичев А.В.¹, Новиков И.И.¹, Гладышев А.Г.¹, Карачинский Л.Я.², Савельев А.В.^1,3, Егоров А.Ю.¹, Денисов Д.В.^2,4

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия Connector Optics LLC, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: anton@beam.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 13 марта 2018 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Исследована фотолюминесценция образцов напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP(100), с активной областью состоящей из 9 квантовых ям In_0.74Ga_0.26As и delta-легированных барьеров In_0.53Al_0.20Ga_0.27As. Исследование спектров фотолюминесценции показало, что легирование примесью p-типа приводит к росту эффективности фотолюминесценции при малых уровнях возбуждения по сравнению с гетероструктурой с нелегированными барьерами, а легирование барьеров до уровня (1-2)·10¹² см^-2 приводит к подавлению безызлучательной рекомбинации.

R. Michalzik. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Springer International Publishing, London, 2013)
S. Spiga, A. Andrejew, G. Boehm, M.-C. Amann. 2016 18th Int. Conf. Transparent Opt. Networks (Trento, Italy, 2016) p. 1
A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Y. Karachinsky, A.Y. Egorov. Mater. Phys. Mech., 24 (3), 284 (2015)
I.I. Novikov, A.V. Babichev, E.S. Kolodeznyi, A.S. Kurochkin, A.G. Gladyshev, V.N. Nevedomsky, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy. Mater. Phys. Mech., 29 (1), 76 (2016)
K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52 (23), 1945 (1988)
K. Uomi. Jpn. J. Appl. Phys., 29 (1), 81 (1990)
K. Uomi, T. Mishima, N. Chinone. Jpn. J. Appl. Phys., 29 (1), 88 (1990)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
K.R. Poguntke, A.R. Adams. Electron. Lett., 28 (1), 41 (1992)
K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, H. Ishikawa. IEEE J. Quant. Electron., 36 (4), 472 (2000)
Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25 (1), 2019 (1991)
M.I. Dyakonov, V.Y. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49 (24), 17130 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель