Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов n-FeS₂/p-Cd_1-xZn_xTe

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46153.8754

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090117

Орлецкий И.Г.¹, Илащук М.И.¹, Солован М.Н.¹, Марьянчук П.Д.¹, Парфенюк О.А.¹, Майструк Э.В.¹, Ничий С.В.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine

Email: i.orletskyi@chnu.edu.ua

Поступила в редакцию: 24 октября 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы условия изготовления гетеропереходов n-FeS₂/p-Cd_1-xZn_xTe методом спрей-пиролиза тонких пленок пирита на кристаллические подложки p-Cd_1-xZn_xTe. На основе комплексного анализа вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик установлено ограничение обратного тока областью пространственного заряда при малых обратных смещениях и проанализированы механизмы токообразования с участием энергетических уровней в области гетероперехода. Предложена модель энергетического профиля гетероперехода n-FeS₂/p-Cd_1-xZn_xTe, которая хорошо коррелирует с экспериментально определенными параметрами и динамикой их изменения с температурой.

B. Rezig, H. Dahman, M. Kenzari. Reneweale Energy, 2 (2), 125 (1992)
A. Ennaoui, S. Fiechter, C. Pettenkofer, N. Alonso-Vante, K. Buker, M. Bronold, C. Hopfner, H. Tributsch. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 29 (4), 289 (1993)
S. Middya, A. Layek, A. Dey, P. Ray. J. Mater. Sci. Technol., 30 (8), 770 (2014)
L. Luo, W. Luan, B. Yuan, C. Zhang, L. Jin. Energy Procedia, 75, 2181 (2015)
S. Shukla, N.H. Loc, P.P. Boix, T.M. Koh, R.R. Prabhakar, H.K. Mulmudi, J. Zhang, S. Chen, C.F. Ng, C.H.A. Huan, N. Mathews, T. Sritharan, Q. Xiong. ACS Nano, 8, 10597 (2014)
S. Kawai, R. Yamazaki, S. Sobue, E. Okuno, M. Ichimura. APL Materials, 2, 32110 (2014)
K.P. Bhandari, P. Koirala, N.R. Paudel, R.R. Khanal, A.B. Phillips, Y. Yan, R.W. Collins, M.J. Heben, R.J. Ellingson. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 140, 108 (2015)
N. Berry, M. Cheng, C.L. Perkins, M. Limpinsel, J.C. Hemminger, M. Law. Adv. Energy Mater., 2, 1124 (2012)
K. Buker, N. Alonso-Vante, H. Tributsch. J. Appl. Phys., 72, 5721 (1992)
Z. Yang, M. Wang, S. Shukla, Y. Zhu, J. Deng, H. Ge, X. Wang, Q. Xiong. Sci. Rept., 5, 11377 (2015)
И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, В.В. Брус. ФТТ, 58 (1), 39 (2016)
И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, Д.П. Козярский, В.В. Брус. Неорг. матер., 52 (8), 914 (2016)
V.V. Brus, I.S. Babichuk, I.G. Orletskyi, P.D. Maryanchuk, V.O. Yukhymchuk, V.M. Dzhagan, I.B. Yanchuk, M.M. Solovan, I.V. Babichuk. Appl. Optics, 55, B158 (2016)
И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, М.Н. Солован, В.В. Брус, Э.В. Майструк, Д.П. Козярский, С.Л. Абашин. ФТТ, 58 (5), 1024 (2016)
И.Г. Орлецкий, П.Д. Марьянчук, М.Н. Солован, Э.В. Майструк, Д.П. Козярский. Письма ЖТФ, 42 (6), 27 (2016)
J.J. Kennedy, P.M. Amirtharaj, P.R. Boyd, S.B. Qadri, R.C. Dobbyn, G.G. Long. J. Cryst. Growth, 86 (1--4), 93 (1988)
K. Guergouri, R. Triboulet, A. Tromson-Carli, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 86, 61 (1988)
A.V. Savitsky, M.I. Ilashchuk, O.A. Parfenyuk, K.S. Ulyanytsky, V.R. Burachek, R. Ciach, Z. Swiatek, Z. Kuznicki. Thin Sol. Films, 361--362, 203 (2000)
C.-T. Kao, J.-B. Shi, H.-W. Lee, F.-C. Cheng, H.-H. Liu, M.-W. Lee, C.-C. Chan, C.-W. Huang, H.-S. Lin, P.-F. Wu, C.-Y. Chen, M.-C. Kao, S.-L. Young, C.-L. Lin. J. Therm. Spray Technol., 25 (3), 580 (2016)
M. Morsli, A. Bonnet, L. Cattin, A. Conan, S. Fiechter. J. Phys. I France, 5, 699 (1995)
J.P. Ponpon. Solid-State Electron., 28 (7) 689 (1985)
Б. Шарма, Р. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979) гл. 1, с. 14
Y. Xu, M. Schoonen. Am. Mineral., 85, 543 (2000)
D.J. Olego, J.P. Faurie, S. Sivananthan, P.M. Raccah. Appl. Phys. Lett., 47, 1172 (1985)
В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989) гл. 1, с. 19
О.А. Матвеев, А.И. Терентьев. ФТП, 34 (11), 1316 (2000)
В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк. ФТП, 45 (8), 1109 (2011)
В.В. Брус, И.Г. Орлецкий, М.И. Илащук, П.Д. Марьянчук. ФТП, 48, 1075 (2014)
Г.П. Пархоменко, М.Н. Солован, А.И. Мостовой, К.С. Ульяницкий, П.Д. Марьянчук. ФТП, 51 (3), 358 (2017)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975) гл. 2, с. 61
J. Hu, Y. Zhang, M. Law, R. Wu. Phys. Rev. B, 85, 085203 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель