Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46223.8738

Переводная версия: 10.1134/S1063782618080201

Шалимова М.Б.¹

¹Самарский национально-исследовательский университет, Самара, Россия Samara National Research University, Samara, Russia

Email: shamb@ssau.ru

Поступила в редакцию: 28 сентября 2017 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В МДП-структурах на основе германия n-типа формировался диэлектрический слой из ErF₃, YF₃, NdF₃ и TmF₃. Показано, что отрицательный эффективный заряд в данных германиевых МДП-структурах не наблюдается, а деградация электрических характеристик и рост плотности поверхностных состояний приводят к увеличению положительного заряда. Положительный заряд, создаваемый на границе раздела германий-фторид редкоземельного элемента, может компенсировать отрицательный заряд оборванных связей на поверхности германия, что потенциально перспективно для модуляции величины и знака заряда в МДП-устройствах на германии.

A. Molle, S. Baldovino, S. Spiga, M. Fanciulli. Thin Solid Films, 518, S96 (2010)
В.C. Henkel, P-E. Hellstroom, M. Ostling, M. Stoger-Pollach, O. Bethge, E. Bertagnolli. Solid-State Electron., 74, 7 (2012)
L.K. Chu, R.L. Chu, T.D. Lin, W.C. Lee, C.A. Lin, M.L. Huang, Y.J. Lee, J. Kwo, M. Hong. Solid-State Electron., 54, 965 (2010)
S.N.A. Murad, P.T. Baine, D.W. McNeill, S.J.N. Mitchell, B.M. Armstrong, M. Modreanu, G. Hughes, R.K. Chellappan. Solid-State Electron., 78, 136 (2012)
S. Mather, N. Sedghi, M. Althobaiti, I.Z. Mitrovic, V. Dhanak, P.R. Chalker, S. Hall. Microelectron. Engin., 109, 126 (2013)
C.X. Li, C.D. Wanga, C.H. Leung, P.T. Lai, J.P. Xu. Microelectron. Engin., 86, 1596 (2009)
M.B. Shalimova, E.N. Khavdey. Chapter in the book Germanium: Properties, Production and Applications (N.Y., NOVA, 2012) p. 187
М.Б. Шалимова, Н.В. Сачук, ФТП, 49, 1071 (2015)
C.G. Van de Walle, M. Choi, J.R. Weber, J.L. Lyons, A. Janotti. Microelectron. Engin., 109, 211 (2013)
P. Tsipas, A. Dimoulas. Appl. Phys. Lett., 94, 012114 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель