Вышедшие номера
Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100093
Максимов М.В.1, Надточий А.М.1, Шерняков Ю.М.2, Паюсов А.С.2, Васильев А.П.3, Устинов В.М.3,4, Сeрин А.А.2, Гордеев Н.Ю.2, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: maximov@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследованы характеристики лазеров оптического диапазона 1.44-1.46 мкм, выращенных на подложках GaAs с использованием метаморфного буфера. Активная область лазеров содержала 10 рядов квантовых точек InAs/In0.4Ga0.6As/In0.2Ga0.8As. Показано, что использование специального селективного высокотемпературного отжига совместно с применением короткопериодных сверхрешеток In0.2Ga0.8As/In0.2Al0.3Ga0.5As позволяет существенно снизить плотность прорастающих дислокаций в активной области. Для лазера с широким полоском длиной 3 мм достигнута пороговая плотность тока 1300 А·см-2, внешняя дифференциальная квантовая эффективность 38% и максимальная выходная мощность в импульсном режиме 13 Вт.