Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C₂F₅Cl

DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46599.21

Переводная версия: 10.1134/S1063782618110180

Охапкин А.И.¹, Юнин П.А.¹, Дроздов М.Н.¹, Краев С.А.¹, Скороходов Е.В.¹, Шашкин В.И.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: andy-ohapkin@yandex.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

PDF версия

Впервые проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана (C₂F₅Cl) с учeтом пассивации поверхности продуктами распада реагента. Исследованы элементный состав осаждeнных покрытий, их плотность и морфологические свойства. Установлено, что наиболее гладкий профиль травления реализуется при использовании большого потока фреона и малой eмкостной мощности. В таком режиме анизотропия травления сохраняется на глубине 7 мкм при скорости процесса 230 нм/мин.

М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991), с 373 [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N.Y.-London, Plenum Press, 1987)]
S.F. Wang, M. Han, J.T. Ye, G.W. Xu, L. Luo. Microsyst. Technol., 21 (1), 203 (2015).
A.R. Giehl, M. Gumbel, M. Kessler, N. Herhammer, G. Hoffmann et al. J. Vac. Sci. Technol. B., 21 (6), 2393 (2003)
K. Chen, Jian-Jun He, Ming-Yu Li, R. LaPierre. Chin. Phys. Lett., 29 (3), 036105 (2012)
M.N. Mudholkar, G. Sai Saravanan, K. Mahadeva Bhat, Ch. Sridhar, H.P. Vyas, R. Muralidharan. Proc. 2007 Int. Workshop on the Physics of Semiconductor Devices: IWPSD-2007 (Mumbai, India, 2007) p. 466
W. HaiLing, G. Xia, S. GuangDi. Sci. Сhina Ser. E, 50 (6), 749 (2007)
N. Dhindsa, A. Chia, J. Boulanger, I. Khodadad, R. La Pierre, S.S. Saini. Nanotechnology, 25, 305303 (2014)
I. Seethalakshmi, R. Joshi, N. DasGupta, B.K. Das. 17th Int. Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, IWPSD (Noida, India) [Phys. Semicond. Dev.: Environmental Science and Engineering, 681 (2014)]
D.S. Rawal, V.R. Agarwal, H.S. Sharma, B.K. Sehgal, R. Gulati, H.P. Vyas. J. Electrochem. Soc., 150 (7), G395 (2003)
M.J. Frisch et al. Gaussian 03, Revision D.01 (Gaussian Inc., Wallingford CT, 2004)
Электронный ресурс: http://www.chemcraftprog.com
Р.А. Кипер. Свойства веществ: Справочник по химии (Хабаровск, 2013) с. 27.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель