К столетию со дня рождения профессора С. М. Рывкина (1918-1981)
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
[!t] = empty Профессор доктор физико-математических наук С. М. Рывкин - известный российский физик, инициатор создания и первый заведующий лабораторией неравновесных процессов в полупроводниках Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе, руководитель научной школы, которая воспитала несколько поколений докторов и кандидатов наук. Отличительной чертой профессора С. М. Рывкина как руководителя была постоянная доброжелательность в общении с окружающими людьми. Круг научных интересов лаборатории с самого момента создания включал в себя исследования оптогальваномагнитных явлений в полупроводниках (процессы генерации носителей заряда, их диффузия и дрейф, а также электронно-фотонные взаимодействия и рекомбинация). При его непосредственном участии был обнаружен и изучен эффект увлечения электронов фотонами в полупроводниках. Наряду с продольным был найден поперечный эффект увлечения, изучен фотомагнитный эффект фотонного увлечения и акустомагнитный эффект - фононного увлечения. Широким фронтом прово- дились исследования природы, энергетического спектра и процессов отжига структурных дефектов в полупроводниках. При активном руководстве С. М. Рывкина был разработан ряд новых полупроводниковых устройств: спектрометрические счетчики на основе кремния, германия и теллурида кадмия для регистрации широкого класса ядерных излучений, лавинные фотодиоды, быстродействующие неохлаждаемые широкодиапазонные приемники на основе эффекта увлечения. Профессор С. М. Рывкин - автор широко известной классической монографии "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". В 1964 году его значительный вклад в научные фундаментальные исследования, которые привели к созданию полупроводниковых квантовых генераторов, был отмечен Ленинской премией (совместно с Д. Н. Наследовым, А. А. Рогачевым, Б. В. Царенковым). Вместе с академиком В. М. Тучкевичем он создал первые советские фотодиоды. С 1967 по 1981 гг. профессор С. М. Рывкин являлся главным редактором журнала "Физика и техника полупроводников". Редакционная коллегия и редакция журнала << Физика и техника полупроводников>> empty headings
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.