Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного gamma- и gamma-нейтронного облучения

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46749.28

Переводная версия: 10.1134/S1063782618120266

Венедиктов М.М.¹, Тарасова Е.А.², Боженькина А.Д.², Оболенский С.В.², Елесин В.В.³, Чуков Г.В.³, Метелкин И.О.³, Кревский М.А.⁴, Дюков Д.И.⁴, Фефелов А.Г.⁴

¹Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия Sedakov Research Institute of Measuring Systems, Nizhny Novgorod, Russia

Sedakov Research Institute of Measuring Systems, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

⁴ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия OAO Research-and-Production Enterprise “Salut”, Nizhny Novgorod, Russia

Email: thelen@yandex.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после gamma-нейтронного облучения.

Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
А.В. Моряшин, С.В. Оболенский, М.Ю. Петров, А.В. Якимов. Радиофизика, 50 (2), 147 (2007)
С.В. Оболенский, М.А. Китаев. Письма ЖТФ, 26 (10), 13 (2000)
Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков. ФТП, 50 (12), 1599 (2016)
Е.А. Тарасова, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, Ю.М. Свешников. ФТП, 50 (3), 331 (2016)
В.В. Елесин. Микроэлектроника, 43 (2), 133 (2014)
И.О. Метелкин, В.В. Елесин. Электрон. техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 2 (241), 10 (2016)
Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 35 (5), 371 (2006)
Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ. Сер. Физика твердого тела, N 1, 20 (2003)
Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
Р. Зулиг. Радиационные эффекты в ИC на GaAs // Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988)
А.В. Скупов, С.В. Оболенский. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., N 4, 45 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель